推挽晶體管英文解釋翻譯、推挽晶體管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 push-pull transistor

分詞翻譯：

推的英語翻譯：

bunt; choose; deduce; hustle; infer; jostle; push; put off; shift; shove
trundle
【機】 buck; push

挽的英語翻譯：

coil up; draw; lament sb.'s death; link; pull; roll up

晶體管的英語翻譯：

transistor
【計】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

專業解析

推挽晶體管（Push-Pull Transistor）是電子電路中一種互補對稱功率放大結構，其核心由兩個極性相反的晶體管（通常為NPN和PNP型）組成，通過交替導通實現信號的高效放大與功率傳輸。該結構在低頻功率放大、音頻輸出級和開關電源設計中廣泛應用。

從電路拓撲角度分析，推挽晶體管的工作模式具有以下特點：

1. 互補對稱性：兩個晶體管分别在輸入信號的正負半周導通，形成對稱放大路徑，有效抑制偶次諧波失真（來源：IEEE Transactions on Power Electronics）。
2. 高效率特性：通過消除靜态工作點電流，理論效率可達78.5%，滿足功率轉換需求，計算公式為： $$ eta = frac{P{out}}{P{supply}} times 100% $$
3. 熱穩定性：采用交叉導通補償技術，可平衡雙管溫度漂移（來源：Rohm Semiconductor技術白皮書）。

在實現層面，推挽結構需特别注意死區時間控制，防止直通電流導緻的器件損壞。現代設計中常集成Baker箝位二極管或使用預驅動IC（如TI的UCC27201）優化開關時序（來源：Texas Instruments應用手冊AN-1148）。

該技術已衍生出多種改進架構，包括：

• 準互補推挽電路（Quasi-Complementary）
• 達林頓複合推挽結構（Darlington Pair）
• 自舉升壓推挽拓撲（Bootstrap Configuration）

教學參考資料可參考MIT開放式課程《模拟電子電路導論》第六章（MIT OpenCourseWare 6.002），其中包含推挽放大器的頻響特性與負載線分析實例。

網絡擴展解釋

推挽晶體管是指在推挽電路中成對使用的互補型晶體管（如NPN與PNP型，或N溝道與P溝道場效應管），通過交替導通實現信號的高效放大與驅動。以下是詳細解析：

一、定義與結構

推挽晶體管通常由兩個極性相反的晶體管組成（如NPN+PNP或NMOS+PMOS），其結構特點包括：

• 互補配對：兩管參數對稱，分别負責信號的正、負半周處理。
• 無交疊導通：一管導通時另一管截止，避免同時導通造成的功耗浪費。

二、工作原理

1. 信號處理：
   • 正半周：NPN型（或NMOS）導通，電流從電源經負載流向地，輸出高電平。
   • 負半周：PNP型（或PMOS）導通，電流反向流動，輸出低電平。
2. 合成輸出：兩管交替工作，最終在負載上合成完整的放大信號。

三、核心特點

1. 高效率：乙類或甲乙類工作狀态下，理論效率可達78.5%（乙類），適合大功率場景。
2. 低失真：互補設計減少交越失真，尤其適用于音頻放大器。
3. 驅動能力強：可輸出大電流，直接驅動電機、揚聲器等感性或容性負載。

四、典型應用

• 功率放大器：如音響設備中的音頻功放。
• 數字電路輸出級：增強邏輯門驅動能力。
• 電源轉換：用于DC-DC變換器的開關控制。

五、補充說明

推挽晶體管常與乙類放大模式結合使用，即靜态工作點設置在截止點，僅在有信號時導通，但需注意可能存在的交越失真問題。實際電路中常采用甲乙類偏置以改善線性度。

如需進一步了解具體電路設計或公式推導，可參考電子工程類教材或專業文獻。

分類

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