推挽晶体管英文解释翻译、推挽晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 push-pull transistor

分词翻译：

推的英语翻译：

bunt; choose; deduce; hustle; infer; jostle; push; put off; shift; shove
trundle
【机】 buck; push

挽的英语翻译：

coil up; draw; lament sb.'s death; link; pull; roll up

晶体管的英语翻译：

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

专业解析

推挽晶体管（Push-Pull Transistor）是电子电路中一种互补对称功率放大结构，其核心由两个极性相反的晶体管（通常为NPN和PNP型）组成，通过交替导通实现信号的高效放大与功率传输。该结构在低频功率放大、音频输出级和开关电源设计中广泛应用。

从电路拓扑角度分析，推挽晶体管的工作模式具有以下特点：

1. 互补对称性：两个晶体管分别在输入信号的正负半周导通，形成对称放大路径，有效抑制偶次谐波失真（来源：IEEE Transactions on Power Electronics）。
2. 高效率特性：通过消除静态工作点电流，理论效率可达78.5%，满足功率转换需求，计算公式为： $$ eta = frac{P{out}}{P{supply}} times 100% $$
3. 热稳定性：采用交叉导通补偿技术，可平衡双管温度漂移（来源：Rohm Semiconductor技术白皮书）。

在实现层面，推挽结构需特别注意死区时间控制，防止直通电流导致的器件损坏。现代设计中常集成Baker箝位二极管或使用预驱动IC（如TI的UCC27201）优化开关时序（来源：Texas Instruments应用手册AN-1148）。

该技术已衍生出多种改进架构，包括：

• 准互补推挽电路（Quasi-Complementary）
• 达林顿复合推挽结构（Darlington Pair）
• 自举升压推挽拓扑（Bootstrap Configuration）

教学参考资料可参考MIT开放式课程《模拟电子电路导论》第六章（MIT OpenCourseWare 6.002），其中包含推挽放大器的频响特性与负载线分析实例。

网络扩展解释

推挽晶体管是指在推挽电路中成对使用的互补型晶体管（如NPN与PNP型，或N沟道与P沟道场效应管），通过交替导通实现信号的高效放大与驱动。以下是详细解析：

一、定义与结构

推挽晶体管通常由两个极性相反的晶体管组成（如NPN+PNP或NMOS+PMOS），其结构特点包括：

• 互补配对：两管参数对称，分别负责信号的正、负半周处理。
• 无交叠导通：一管导通时另一管截止，避免同时导通造成的功耗浪费。

二、工作原理

1. 信号处理：
   • 正半周：NPN型（或NMOS）导通，电流从电源经负载流向地，输出高电平。
   • 负半周：PNP型（或PMOS）导通，电流反向流动，输出低电平。
2. 合成输出：两管交替工作，最终在负载上合成完整的放大信号。

三、核心特点

1. 高效率：乙类或甲乙类工作状态下，理论效率可达78.5%（乙类），适合大功率场景。
2. 低失真：互补设计减少交越失真，尤其适用于音频放大器。
3. 驱动能力强：可输出大电流，直接驱动电机、扬声器等感性或容性负载。

四、典型应用

• 功率放大器：如音响设备中的音频功放。
• 数字电路输出级：增强逻辑门驱动能力。
• 电源转换：用于DC-DC变换器的开关控制。

五、补充说明

推挽晶体管常与乙类放大模式结合使用，即静态工作点设置在截止点，仅在有信号时导通，但需注意可能存在的交越失真问题。实际电路中常采用甲乙类偏置以改善线性度。

如需进一步了解具体电路设计或公式推导，可参考电子工程类教材或专业文献。

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