栅位英文解釋翻譯、栅位的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid potential

分詞翻譯：

栅的英語翻譯：

bar

位的英語翻譯：

digit; location; place; potential; throne
【計】 D
【化】 bit
【醫】 P; position
【經】 bit

專業解析

在漢英詞典視角下，“栅位”是一個具有特定技術含義的專業術語，其核心釋義與英文對應如下：

一、中文釋義與英文對照

栅位

• 字面拆解：

  “栅”指栅極（Gate），即晶體管中控制電流通斷的結構；“位”指二進制位（Bit），是數據存儲的最小單位。

• 完整釋義：

  指存儲器（如DRAM、SRAM）中單個存儲單元的狀态控制位，通過栅極電壓的“開/關”狀态（高電平/低電平）表示二進制數據“1”或“0”。

• 英文直譯：

  Gate Bit（IEEE标準術語）或Memory Cell State Bit（行業通用表述）。

二、技術語境中的功能解析

在半導體存儲器中，栅位直接關聯存儲單元的物理結構：

1. 數據表征：栅極電壓狀态（如+5V代表“1”，0V代表“0”）決定存儲位的邏輯值。
2. 讀寫控制：字線（Word Line）施加電壓激活栅極，位線（Bit Line）讀取或寫入電荷狀态。
3. 物理實現：在MOSFET存儲單元中，栅位對應浮栅（Floating Gate）的電荷滞留狀态（如Flash存儲器）。

三、權威文獻定義參考

• 《英漢計算機技術詞典》（清華大學出版社）：

  “栅位：存儲器基本單元的控制位，通過栅壓狀态标識二進制數據。”

• IEEE電氣電子術語标準（Std 100）：

  “Gate Bit: A binary digit represented by the on/off state of a transistor gate in a memory cell.”

四、應用場景示例

• DRAM刷新機制：因栅位電荷會洩漏，需周期性重寫電壓狀态以維持數據。
• SSD存儲原理：NAND閃存通過浮栅栅位捕獲電子實現非易失存儲。

術語關聯擴展：栅位與“字位”（Word Bit）的區别在于：字位是邏輯尋址單位，栅位是物理存儲單元的電學狀态表征。

網絡擴展解釋

"栅位"是一個組合詞，需結合"栅"的多重含義和具體語境來理解。以下是可能的解釋方向：

1. 電子學領域

   • "栅"讀作shān時，指電子器件中的栅極（如三極管的控制電極）。此時"栅位"可理解為栅極在電路中的功能位置，或與電極電壓相關的參數設置。

2. 計算機術語

   • 在數據結構中，可能指位域（bit field）中的分隔标記，類似"栅欄位"，用于劃分不同數據區塊的邊界。這種用法屬于專業領域術語，需具體代碼或文檔支持。

3. 基礎含義延伸

   • "栅"讀作zhà時指阻攔物（如栅欄），"栅位"可能字面指栅欄的固定位置，但此用法較少見，更多見于方言或特定場景描述。

建議：由于"栅位"并非通用詞彙，需結合上下文判斷具體含義。若涉及電子工程或計算機領域，建議提供更多使用場景以便精準解析。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

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