栅驅動功率英文解釋翻譯、栅驅動功率的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid driving power

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【計】 driving power

在電力電子領域，"栅驅動功率"（Gate Drive Power）指為半導體開關器件（如MOSFET、IGBT）的栅極提供控制信號所需的總能量消耗。該參數直接影響器件的開關速度、系統效率及熱管理設計，其核心構成包含以下三部分：

在新能源汽車逆變器等高壓場景中，栅驅動功率需控制在總系統功耗的0.5%以下（參考《電力電子系統設計與應用指南》第4版）。英飛淩科技（Infineon）的實測案例表明，采用SiC MOSFET搭配諧振栅極驅動架構，可将驅動功率密度提升至5W/mm²。

栅驅動功率（Grid Driving Power）是電力電子領域中的專業術語，主要用于描述驅動半導體器件（如MOSFET、IGBT等）栅極所需的功率。以下是詳細解釋：

基本定義
栅驅動功率指在開關過程中，為控制器件栅極電容充放電所消耗的功率。例如，MOSFET的栅極需要施加特定電壓以導通或關斷器件，這一過程需要外部電路提供能量。
影響因素
- 栅極電荷（Qg）：栅極電容存儲的電荷量越大，驅動功率越高。
- 開關頻率（f）：頻率越高，單位時間内充放電次數越多，功率損耗增加。
- 驅動電壓（Vgs）：驅動電壓越高，每次充放電的能量需求越大。
  計算公式為：
  $$ P = Qg cdot V{gs} cdot f $$
  其中，$Qg$為栅極電荷，$V{gs}$為驅動電壓，$f$為開關頻率。
應用場景
該參數在高頻開關電源、電機驅動和逆變器設計中尤為重要。優化栅驅動功率可降低系統損耗，提升效率。
相關術語擴展
- 全控型器件：如功率MOSFET，需通過栅極電壓實現完全導通或關斷。
- 驅動電路設計：需平衡驅動速度與功率損耗，常采用專用驅動芯片或隔離技術。

若需進一步了解具體器件（如IGBT與MOSFET的差異）或設計案例，可參考電力電子教材或半導體廠商的技術文檔。