栅漏偏壓英文解釋翻譯、栅漏偏壓的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid leak bias

分詞翻譯：

栅漏的英語翻譯：

【計】 grid leak

偏壓的英語翻譯：

【電】 bias; bias voltage

專業解析

在電子工程領域，栅漏偏壓（Gate-Drain Bias）指施加在場效應晶體管（FET）栅極（Gate）與漏極（Drain）之間的直流電壓差（通常記為 (V{GD}) 或 (V{DG})）。它是控制FET工作狀态的關鍵參數之一，直接影響器件的導電溝道形成、電流傳輸特性及工作區域（如截止區、飽和區、線性區）。以下是詳細解釋：

一、術語定義與核心作用

物理意義：栅漏偏壓 (V{GD}) 定義為栅極對漏極的電壓，即 (V{GD} = V_G - V_D)。其大小和極性決定了栅極下方溝道的電場分布，進而調制漏極電流 (I_D)。
與栅源偏壓的關系：實際電路中，栅漏偏壓常通過栅源偏壓 (V{GS}) 和漏源電壓 (V{DS}) 間接表達：
$$

V{GD} = V{GS} - V{DS}

$$

該公式表明 (V{GD}) 受 (V{GS}) 和 (V{DS}) 共同影響。

二、對FET工作特性的影響

溝道調制效應
在飽和區（(V{DS} > V{GS} - V{th})），(V{GD}) 趨近阈值電壓 (V_{th})，導緻溝道在漏極附近夾斷。此時漏極電流 (ID) 與 (V{GD}) 的關系可近似為：

$$

ID propto (V{GS} - V{th}) left(1 + lambda V{DS}right)

$$

其中 (lambda) 為溝道長度調制系數，反映 (V_{GD}) 對電流的微調作用。
擊穿與可靠性
過高的 (V_{GD}) 可能導緻栅氧化層擊穿（尤其對MOSFET）或誘發熱載流子效應，縮短器件壽命。典型安全範圍需參考器件手冊。

三、典型應用場景

放大器偏置：在射頻放大器中，通過優化 (V_{GD}) 可調節增益和線性度。
開關電路：在功率MOSFET中，(V{GD}) 影響開關速度和導通電阻 (R{DS(on)}) 。

權威參考來源：

IEEE Xplore: "FET Biasing Fundamentals" (标準術語定義)
《半導體器件物理》（施敏著）：溝道調制模型推導
Microchip Technology: "Power MOSFET Application Note" (擊穿機制)
Texas Instruments: "RF Amplifier Design with GaN FETs" (應用案例)

網絡擴展解釋

栅漏偏壓是電子管電路中一種特殊的栅極偏壓實現方式，主要用于普及型電子管收音機的音頻電壓放大級。以下是其詳細解釋：

1.基本定義

栅漏偏壓通過栅極與地之間連接的大阻值電阻（通常5-10兆歐）形成，陰極直接接地。其核心在于利用栅極電流在電阻上的壓降，動态産生栅極負電壓。

2.工作原理

栅極電流作用：電子管工作時，栅極會吸收陰極發射的部分電子，使栅極帶微弱負電。此時，電流從地經栅漏電阻流向栅極，在電阻兩端形成壓降（地電勢高于栅極），從而産生等效負偏壓。
動态特性：該偏壓隨輸入信號強度變化，信號越大，栅極電流越強，負偏壓絕對值也越大，形成自動調節機制。

3.電路特點

結構簡單：無需額外電源，僅需栅漏電阻即可實現偏壓，成本低。
應用場景：常見于三極管音頻放大電路，尤其適合普及型設備。
局限性：穩定性低于固定偏壓電路，可能因栅極電流變化影響工作點。

4.與其他偏壓方式的區别

栅漏偏壓屬于自給偏壓的一種，而固定偏壓需獨立電源供電。三極管通常采用負偏壓（栅漏偏壓），場效應管則需正偏壓。

栅漏偏壓通過巧妙利用栅極電流和電阻特性，以低成本實現了電子管栅極負壓的自動調節。這種設計體現了早期電子電路在簡化結構與功能平衡上的智慧。