栅漏偏压英文解释翻译、栅漏偏压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 grid leak bias

分词翻译：

栅漏的英语翻译：

【计】 grid leak

偏压的英语翻译：

【电】 bias; bias voltage

专业解析

在电子工程领域，栅漏偏压（Gate-Drain Bias）指施加在场效应晶体管（FET）栅极（Gate）与漏极（Drain）之间的直流电压差（通常记为 (V{GD}) 或 (V{DG})）。它是控制FET工作状态的关键参数之一，直接影响器件的导电沟道形成、电流传输特性及工作区域（如截止区、饱和区、线性区）。以下是详细解释：

一、术语定义与核心作用

物理意义：栅漏偏压 (V{GD}) 定义为栅极对漏极的电压，即 (V{GD} = V_G - V_D)。其大小和极性决定了栅极下方沟道的电场分布，进而调制漏极电流 (I_D)。
与栅源偏压的关系：实际电路中，栅漏偏压常通过栅源偏压 (V{GS}) 和漏源电压 (V{DS}) 间接表达：
$$

V{GD} = V{GS} - V{DS}

$$

该公式表明 (V{GD}) 受 (V{GS}) 和 (V{DS}) 共同影响。

二、对FET工作特性的影响

沟道调制效应
在饱和区（(V{DS} > V{GS} - V{th})），(V{GD}) 趋近阈值电压 (V_{th})，导致沟道在漏极附近夹断。此时漏极电流 (ID) 与 (V{GD}) 的关系可近似为：

$$

ID propto (V{GS} - V{th}) left(1 + lambda V{DS}right)

$$

其中 (lambda) 为沟道长度调制系数，反映 (V_{GD}) 对电流的微调作用。
击穿与可靠性
过高的 (V_{GD}) 可能导致栅氧化层击穿（尤其对MOSFET）或诱发热载流子效应，缩短器件寿命。典型安全范围需参考器件手册。

三、典型应用场景

放大器偏置：在射频放大器中，通过优化 (V_{GD}) 可调节增益和线性度。
开关电路：在功率MOSFET中，(V{GD}) 影响开关速度和导通电阻 (R{DS(on)}) 。

权威参考来源：

IEEE Xplore: "FET Biasing Fundamentals" (标准术语定义)
《半导体器件物理》（施敏著）：沟道调制模型推导
Microchip Technology: "Power MOSFET Application Note" (击穿机制)
Texas Instruments: "RF Amplifier Design with GaN FETs" (应用案例)

网络扩展解释

栅漏偏压是电子管电路中一种特殊的栅极偏压实现方式，主要用于普及型电子管收音机的音频电压放大级。以下是其详细解释：

1.基本定义

栅漏偏压通过栅极与地之间连接的大阻值电阻（通常5-10兆欧）形成，阴极直接接地。其核心在于利用栅极电流在电阻上的压降，动态产生栅极负电压。

2.工作原理

栅极电流作用：电子管工作时，栅极会吸收阴极发射的部分电子，使栅极带微弱负电。此时，电流从地经栅漏电阻流向栅极，在电阻两端形成压降（地电势高于栅极），从而产生等效负偏压。
动态特性：该偏压随输入信号强度变化，信号越大，栅极电流越强，负偏压绝对值也越大，形成自动调节机制。

3.电路特点

结构简单：无需额外电源，仅需栅漏电阻即可实现偏压，成本低。
应用场景：常见于三极管音频放大电路，尤其适合普及型设备。
局限性：稳定性低于固定偏压电路，可能因栅极电流变化影响工作点。

4.与其他偏压方式的区别

栅漏偏压属于自给偏压的一种，而固定偏压需独立电源供电。三极管通常采用负偏压（栅漏偏压），场效应管则需正偏压。

栅漏偏压通过巧妙利用栅极电流和电阻特性，以低成本实现了电子管栅极负压的自动调节。这种设计体现了早期电子电路在简化结构与功能平衡上的智慧。