栅陰電容英文解釋翻譯、栅陰電容的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 grid-to-cathode capacitance

分詞翻譯：

栅的英語翻譯：

bar

陰的英語翻譯：

hidden; in intaglio; lunar; negative; of the nether world; overcast; shade
sinister

電容的英語翻譯：

capacitance; electric capacity
【計】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【醫】 capacitance; electric capacity

專業解析

栅陰電容（Gate-Cathode Capacitance）是電子器件中的關鍵寄生參數，指電子管或半導體器件内栅極與陰極之間的等效電容。該電容由電極間的絕緣介質和電荷分布形成，其數值通常在皮法（pF）量級，計算公式為： $$ C_{gk} = frac{varepsilon A}{d} $$ 其中$varepsilon$為介電常數，$A$為電極有效面積，$d$為極間距離。

在真空管和場效應晶體管（FET）中，栅陰電容直接影響器件的高頻響應特性與開關速度。例如，在射頻放大電路中，過大的栅陰電容會引發米勒效應，導緻信號相位失真和增益衰減。國際電氣電子工程師學會（IEEE）标準中建議通過共源共栅結構或介質材料優化降低此類寄生電容（參考：IEEE Transactions on Electron Devices, 1998）。

權威文獻《半導體器件物理》指出，現代功率MOSFET通過縮短栅極多晶矽層與陰極金屬的橫向間距，可将栅陰電容降低至0.5-3pF範圍，顯著提升開關效率。實際測量需使用阻抗分析儀在特定偏置條件下進行，避免載流子遷移帶來的測量誤差。

網絡擴展解釋

栅陰電容是電子管（真空管）中的關鍵參數之一，具體解釋如下：

一、基本定義

栅陰電容指電子管内部栅極（Grid）與陰極（Cathode）之間的寄生電容，英文為grid-to-cathode capacitance。它屬于極間電容的一種，由兩電極間的絕緣介質和結構分布形成，表征兩者存儲電荷的能力。

二、結構與作用

電極構成
栅極是電子管中靠近陰極的網狀或螺旋狀電極，用于控制陰極發射的電子流；陰極則是電子發射源。
物理特性
該電容值通常較小（皮法級），但在高頻電路中可能引發信號耦合或相位偏移，影響電子管的工作穩定性。

三、應用影響

高頻電路設計：過大的栅陰電容會限制電子管的高頻響應，需通過優化電極間距或引入中和電路來降低影響。
放大器性能：在音頻放大器中，可能引入非線性失真，需結合其他參數綜合設計。

四、擴展概念

電容的通用定義為“導體間電勢差增加1伏特所需的電荷量”，單位為法拉（F）。栅陰電容作為特定場景下的電容類型，其原理與此一緻，但需結合電子管結構特性分析。