
【電】 hot carrier; hot carriers
ardent; caloric; craze; eager; fever; heat; hot; warm
【化】 heat
【醫】 calor; cauma; febris; fever; fievre; heat; hyperthermia; hyperthermy
phlegmasia; phlegmonosis; pyreto-; pyro-; therm-; thermo-
【電】 carrier
熱載子(Hot Carriers)是半導體物理與電子工程領域的核心概念,指在電場或光激發作用下獲得高于熱平衡狀态能量的載流子(電子或空穴)。其能量通常比晶格系統的平均熱能高數個kT(玻爾茲曼常數乘以溫度),導緻載流子與晶格之間出現非平衡能量分布。
物理特性與機制
熱載子的形成源于強電場加速(如納米級晶體管中的高場強區域)或高能光子激發(如光伏器件中的光吸收過程)。根據IEEE标準術語庫定義,這些載流子的能量分布遵循玻爾茲曼輸運方程,但需考慮量子限制效應。麻省理工學院微電子實驗室研究表明,當載流子平均自由程超過器件特征尺寸時,熱載子效應會顯著加劇器件退化。
工程應用與挑戰
在先進集成電路中,熱載子引發的界面态産生(Hot Carrier Injection, HCI)是導緻晶體管性能衰退的主因之一。《微電子電路》(Adel S. Sedra著)指出,28nm以下工藝節點需采用應變矽或高K介質等材料抑制熱載子效應。而劍橋大學半導體研究組證實,III-V族化合物半導體中的熱載子弛豫時間比矽基材料延長3-5倍,為熱載子太陽能電池開發提供了理論依據。
檢測與量化
行業标準檢測方法包括:
美國國家标準技術研究院(NIST)2020年發布的JEDEC标準JEP122H對此有詳細規範。
“熱載子”是半導體物理和電子工程領域的專業術語,通常指“熱載流子”(Hot Carrier),即在高電場或高能量環境下動能顯著高于熱平衡狀态的載流子(電子或空穴)。以下是詳細解釋:
熱載子指在強電場作用下,半導體中的載流子(電子或空穴)通過加速獲得遠高于常溫熱平衡狀态的平均動能。例如,在MOS器件中,載流子從電場持續獲取能量,導緻其動能積累并超過晶格的平均能量,形成“被加熱”的狀态。
普通載流子的動能由環境溫度決定,處于熱平衡狀态;而熱載子因外部能量(如電場)作用,動能顯著高于平衡值,表現出更強的非平衡特性。
提示:如需進一步了解熱載子的具體實驗數據或理論模型,可參考學術文獻(如知網空間)或半導體器件物理相關教材。
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