
【电】 hot carrier; hot carriers
ardent; caloric; craze; eager; fever; heat; hot; warm
【化】 heat
【医】 calor; cauma; febris; fever; fievre; heat; hyperthermia; hyperthermy
phlegmasia; phlegmonosis; pyreto-; pyro-; therm-; thermo-
【电】 carrier
热载子(Hot Carriers)是半导体物理与电子工程领域的核心概念,指在电场或光激发作用下获得高于热平衡状态能量的载流子(电子或空穴)。其能量通常比晶格系统的平均热能高数个kT(玻尔兹曼常数乘以温度),导致载流子与晶格之间出现非平衡能量分布。
物理特性与机制
热载子的形成源于强电场加速(如纳米级晶体管中的高场强区域)或高能光子激发(如光伏器件中的光吸收过程)。根据IEEE标准术语库定义,这些载流子的能量分布遵循玻尔兹曼输运方程,但需考虑量子限制效应。麻省理工学院微电子实验室研究表明,当载流子平均自由程超过器件特征尺寸时,热载子效应会显著加剧器件退化。
工程应用与挑战
在先进集成电路中,热载子引发的界面态产生(Hot Carrier Injection, HCI)是导致晶体管性能衰退的主因之一。《微电子电路》(Adel S. Sedra著)指出,28nm以下工艺节点需采用应变硅或高K介质等材料抑制热载子效应。而剑桥大学半导体研究组证实,III-V族化合物半导体中的热载子弛豫时间比硅基材料延长3-5倍,为热载子太阳能电池开发提供了理论依据。
检测与量化
行业标准检测方法包括:
美国国家标准技术研究院(NIST)2020年发布的JEDEC标准JEP122H对此有详细规范。
“热载子”是半导体物理和电子工程领域的专业术语,通常指“热载流子”(Hot Carrier),即在高电场或高能量环境下动能显著高于热平衡状态的载流子(电子或空穴)。以下是详细解释:
热载子指在强电场作用下,半导体中的载流子(电子或空穴)通过加速获得远高于常温热平衡状态的平均动能。例如,在MOS器件中,载流子从电场持续获取能量,导致其动能积累并超过晶格的平均能量,形成“被加热”的状态。
普通载流子的动能由环境温度决定,处于热平衡状态;而热载子因外部能量(如电场)作用,动能显著高于平衡值,表现出更强的非平衡特性。
提示:如需进一步了解热载子的具体实验数据或理论模型,可参考学术文献(如知网空间)或半导体器件物理相关教材。
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