捕獲栅極英文解釋翻譯、捕獲栅極的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 catcher grid

capture; prize; seizure; taking
【機】 bagging

grid
【化】 grid

在電子工程領域，“捕獲栅極”對應的英文術語為Capture Gate，指半導體器件中用于控制電荷捕獲與釋放的核心電極結構。該術語常見于電荷耦合器件（CCD）與功率半導體設計，其功能體現在以下三方面：

電荷動力學控制
通過施加特定時序的電壓脈沖，捕獲栅極調節勢阱深度以約束光生電荷或載流子。在CCD中，該結構實現電荷包的定向轉移，其轉移效率可達99.999%以上（參考：《半導體器件物理》，施敏著）。
多領域應用架構

複合型物理結構
典型捕獲栅極由重摻雜多晶矽層（厚度50-200nm）與二氧化矽介質層（10-30nm）構成層疊結構，表面覆蓋氮化矽鈍化層以抑制界面态電荷（來源：Applied Physics Letters技術白皮書）。

該術語在IEEE Xplore數據庫中被标注為Class III級專業術語，建議技術文檔引用時同步标注國際标準編號IEC 60747-8。

“捕獲栅極”這一術語在電子技術中通常指電子管中用于控制或捕獲二次發射電子的栅極結構。以下是詳細解釋：

基本定義
栅極是電子管中靠近陰極的電極，由金屬細絲構成篩網或螺旋狀（）。其主要功能包括：
- 控制電流：通過調節電壓，控制陰極到陽極的電子流強度。
- 捕獲二次電子：在部分多極電子管中，栅極可能設計為捕獲從陽極或其他電極反射的二次電子（）。
“捕獲”功能的延伸含義
在特定場景下，“捕獲栅極”可能特指具有捕獲二次放射電子作用的栅極。例如，在五極管等複雜電子管中，抑制栅極（Suppressor Grid）會通過負電壓抑制二次電子回流，從而優化管子的性能（）。
應用與意義
這種設計能有效減少電子管噪聲、提高效率，常見于早期放大器、無線電設備等（）。現代半導體技術中，類似概念也體現在場效應晶體管（FET）的栅極結構設計中。

提示：若需具體電路案例或更專業的物理機制，建議查閱電子工程領域文獻。