切割芯片英文解釋翻譯、切割芯片的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 diced chip

分詞翻譯：

切割的英語翻譯：

incise; incision

芯片的英語翻譯：

【計】 CMOS chip; static RAM chip

專業解析

在電子工程和半導體制造領域，“切割芯片”通常指将制造完成的晶圓（Wafer）分割成單個獨立芯片（Die）的關鍵工藝步驟。其對應的标準英文術語為Wafer Dicing 或Chip Dicing。

詳細解釋：

工藝本質：
- 半導體制造流程中，數百甚至數千個相同的集成電路（芯片）會同時制作在一片矽晶圓上。晶圓制造完成後，“切割芯片”就是使用精密設備沿着預先設計好的切割道（Scribe Lines），将整片晶圓分割成一個個獨立的、包含完整電路功能的小方塊（即單個芯片）。
- 英文釋義：Wafer dicing is the process by which individual semiconductor chips (dies) are separated from a wafer of semiconductor material after the completion of the front-end-of-line (FEOL) and back-end-of-line (BEOL) fabrication processes.
主要切割方法：
- 刀片切割（Blade Dicing / Mechanical Sawing）：使用高速旋轉、鍍有金剛石顆粒的超薄刀片進行物理切割。這是最傳統且廣泛應用的技術，適用于大多數材料，但可能産生較大的切縫寬度（Kerf Loss）和機械應力，導緻芯片邊緣産生微裂紋或崩邊（Chipping）。
- 激光切割（Laser Dicing）：利用高能量激光束（通常是紅外或紫外激光）燒蝕或改性材料實現切割。優勢在于非接觸、精度高、切縫窄、熱影響區小、適用于超薄晶圓和易碎材料（如 GaAs, GaN）。常見技術包括燒蝕切割（Laser Ablation）和隱形切割（Stealth Dicing）。
- 隱形切割（Stealth Dicing, SD）：一種特殊的激光切割技術。激光聚焦于晶圓内部而非表面，在材料内部形成改質層，然後通過外部施加的擴張力使晶圓沿改質層整齊裂開。此方法幾乎無粉塵、無崩邊、切縫極窄，特别適合超薄晶圓和需要高邊緣質量的芯片。
工藝步驟與關鍵考量：
- 準備：晶圓背面可能已貼有切割膠帶（Dicing Tape）并固定在金屬環（Frame）上以提供支撐。
- 對準：高精度視覺系統識别晶圓上的切割道和對準标記。
- 切割：根據預設程式，使用選定的切割方法（刀片或激光）沿切割道進行切割。
- 清洗：切割後需清洗去除切割産生的碎屑（Slurry）或熔渣（Dross）。
- 檢測：檢查芯片邊緣質量（崩邊、裂紋）、切割精度和完整性。
- 關鍵參數：切割速度、切割深度、切縫寬度、崩邊尺寸、切割方向、冷卻方式（刀片切割通常需要水冷卻）等。這些參數直接影響芯片的良率、可靠性和後續封裝工藝。
重要性：
- 這是半導體制造中晶圓加工（Wafer Fabrication）與芯片封裝（Packaging）之間的橋梁工序。
- 切割質量直接影響芯片的機械強度、電氣性能和最終産品的可靠性。邊緣缺陷可能導緻芯片在後續處理或使用中失效。
- 切割效率（速度、良率）和材料利用率（切縫寬度）對生産成本有顯著影響。

權威參考來源：

國際半導體産業協會（SEMI）制定了晶圓切割相關的多項标準（如設備接口、材料規範），是行業公認的權威機構。其官網包含大量技術資源和标準文檔（需訂閱訪問）。
IEEE Xplore 數字圖書館收錄了大量關于先進切割技術（如激光切割、隱形切割）的學術論文和研究報告，提供了深入的技術原理和實驗數據。
領先半導體設備制造商的技術文檔：例如 DISCO Corporation（迪斯科，全球領先的切割設備商）、東京精密（ACCRETECH）、應用材料（Applied Materials）等公司在其官網發布的技術白皮書和應用筆記，詳細介紹了各種切割技術的原理、優勢、適用場景和最新進展。
行業權威媒體與技術網站：如《Semiconductor Today》、《Solid State Technology》等期刊網站經常發布關于半導體制造工藝（包括切割技術）的綜述和前沿報道。

網絡擴展解釋

切割芯片是半導體制造中的關鍵工藝，指将完成電路制作的晶圓分割成獨立小芯片的過程，為後續封裝和測試做準備。以下是詳細解釋：

一、核心定義與作用

切割芯片（又稱晶圓劃片/Dicing）是指通過機械或激光手段，将晶圓上成千上萬個集成電路單元（Die）分離成獨立芯片的工序。這一步驟直接影響芯片的物理完整性和性能表現，是連接晶圓制造與封裝的核心環節。

二、工藝流程要點

晶圓準備
晶圓在完成光刻、刻蝕等前道工序後，表面已形成完整的電路結構。此時晶圓為直徑8/12英寸的圓形矽片，厚度約0.7mm。
切割方法
- 機械刀片切割：采用高速旋轉的金剛石砂輪（轉速達3-6萬轉/分鐘），適用于大多數傳統芯片。
- 激光切割：通過激光燒蝕材料（如紫外激光），精度更高且適用于超薄晶圓。
- 隱形切割（Stealth Dicing）：先進工藝，利用激光在晶圓内部形成改性層，再通過擴展膠膜分離芯片，可減少碎屑和損傷。
輔助工藝
切割前需在晶圓背面貼附UV膠帶，防止芯片散落；切割後通過清洗、顯微鏡檢測剔除有裂紋或毛刺的芯片。

三、技術挑戰與發展

精度要求：切割道寬度已縮小至30μm以下，需避免損傷電路區。
材料適配：碳化矽（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半導體材料對切割工藝提出更高要求。
效率提升：12英寸晶圓的切割速度需達到300mm/秒以上，同時維持良率。

四、應用場景延伸

除半導體芯片外，類似技術也應用于MEMS傳感器、LED晶圓等領域。部分特殊場景（如智能鞋内置芯片）會涉及芯片移除操作，但屬于消費電子應用範疇。

提示：如需了解具體設備的參數或工藝流程視頻，可參考騰訊雲開發者社區和化工儀器網的行業白皮書。