切割芯片英文解释翻译、切割芯片的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 diced chip

分词翻译：

切割的英语翻译：

incise; incision

芯片的英语翻译：

【计】 CMOS chip; static RAM chip

专业解析

在电子工程和半导体制造领域，“切割芯片”通常指将制造完成的晶圆（Wafer）分割成单个独立芯片（Die）的关键工艺步骤。其对应的标准英文术语为Wafer Dicing 或Chip Dicing。

详细解释：

工艺本质：
- 半导体制造流程中，数百甚至数千个相同的集成电路（芯片）会同时制作在一片硅晶圆上。晶圆制造完成后，“切割芯片”就是使用精密设备沿着预先设计好的切割道（Scribe Lines），将整片晶圆分割成一个个独立的、包含完整电路功能的小方块（即单个芯片）。
- 英文释义：Wafer dicing is the process by which individual semiconductor chips (dies) are separated from a wafer of semiconductor material after the completion of the front-end-of-line (FEOL) and back-end-of-line (BEOL) fabrication processes.
主要切割方法：
- 刀片切割（Blade Dicing / Mechanical Sawing）：使用高速旋转、镀有金刚石颗粒的超薄刀片进行物理切割。这是最传统且广泛应用的技术，适用于大多数材料，但可能产生较大的切缝宽度（Kerf Loss）和机械应力，导致芯片边缘产生微裂纹或崩边（Chipping）。
- 激光切割（Laser Dicing）：利用高能量激光束（通常是红外或紫外激光）烧蚀或改性材料实现切割。优势在于非接触、精度高、切缝窄、热影响区小、适用于超薄晶圆和易碎材料（如 GaAs, GaN）。常见技术包括烧蚀切割（Laser Ablation）和隐形切割（Stealth Dicing）。
- 隐形切割（Stealth Dicing, SD）：一种特殊的激光切割技术。激光聚焦于晶圆内部而非表面，在材料内部形成改质层，然后通过外部施加的扩张力使晶圆沿改质层整齐裂开。此方法几乎无粉尘、无崩边、切缝极窄，特别适合超薄晶圆和需要高边缘质量的芯片。
工艺步骤与关键考量：
- 准备：晶圆背面可能已贴有切割胶带（Dicing Tape）并固定在金属环（Frame）上以提供支撑。
- 对准：高精度视觉系统识别晶圆上的切割道和对准标记。
- 切割：根据预设程序，使用选定的切割方法（刀片或激光）沿切割道进行切割。
- 清洗：切割后需清洗去除切割产生的碎屑（Slurry）或熔渣（Dross）。
- 检测：检查芯片边缘质量（崩边、裂纹）、切割精度和完整性。
- 关键参数：切割速度、切割深度、切缝宽度、崩边尺寸、切割方向、冷却方式（刀片切割通常需要水冷却）等。这些参数直接影响芯片的良率、可靠性和后续封装工艺。
重要性：
- 这是半导体制造中晶圆加工（Wafer Fabrication）与芯片封装（Packaging）之间的桥梁工序。
- 切割质量直接影响芯片的机械强度、电气性能和最终产品的可靠性。边缘缺陷可能导致芯片在后续处理或使用中失效。
- 切割效率（速度、良率）和材料利用率（切缝宽度）对生产成本有显著影响。

权威参考来源：

国际半导体产业协会（SEMI）制定了晶圆切割相关的多项标准（如设备接口、材料规范），是行业公认的权威机构。其官网包含大量技术资源和标准文档（需订阅访问）。
IEEE Xplore 数字图书馆收录了大量关于先进切割技术（如激光切割、隐形切割）的学术论文和研究报告，提供了深入的技术原理和实验数据。
领先半导体设备制造商的技术文档：例如 DISCO Corporation（迪斯科，全球领先的切割设备商）、东京精密（ACCRETECH）、应用材料（Applied Materials）等公司在其官网发布的技术白皮书和应用笔记，详细介绍了各种切割技术的原理、优势、适用场景和最新进展。
行业权威媒体与技术网站：如《Semiconductor Today》、《Solid State Technology》等期刊网站经常发布关于半导体制造工艺（包括切割技术）的综述和前沿报道。

网络扩展解释

切割芯片是半导体制造中的关键工艺，指将完成电路制作的晶圆分割成独立小芯片的过程，为后续封装和测试做准备。以下是详细解释：

一、核心定义与作用

切割芯片（又称晶圆划片/Dicing）是指通过机械或激光手段，将晶圆上成千上万个集成电路单元（Die）分离成独立芯片的工序。这一步骤直接影响芯片的物理完整性和性能表现，是连接晶圆制造与封装的核心环节。

二、工艺流程要点

晶圆准备
晶圆在完成光刻、刻蚀等前道工序后，表面已形成完整的电路结构。此时晶圆为直径8/12英寸的圆形硅片，厚度约0.7mm。
切割方法
- 机械刀片切割：采用高速旋转的金刚石砂轮（转速达3-6万转/分钟），适用于大多数传统芯片。
- 激光切割：通过激光烧蚀材料（如紫外激光），精度更高且适用于超薄晶圆。
- 隐形切割（Stealth Dicing）：先进工艺，利用激光在晶圆内部形成改性层，再通过扩展胶膜分离芯片，可减少碎屑和损伤。
辅助工艺
切割前需在晶圆背面贴附UV胶带，防止芯片散落；切割后通过清洗、显微镜检测剔除有裂纹或毛刺的芯片。

三、技术挑战与发展

精度要求：切割道宽度已缩小至30μm以下，需避免损伤电路区。
材料适配：碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等第三代半导体材料对切割工艺提出更高要求。
效率提升：12英寸晶圆的切割速度需达到300mm/秒以上，同时维持良率。

四、应用场景延伸

除半导体芯片外，类似技术也应用于MEMS传感器、LED晶圆等领域。部分特殊场景（如智能鞋内置芯片）会涉及芯片移除操作，但属于消费电子应用范畴。

提示：如需了解具体设备的参数或工艺流程视频，可参考腾讯云开发者社区和化工仪器网的行业白皮书。