補償半導體英文解釋翻譯、補償半導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 compensated semiconductor

分詞翻譯：

補的英語翻譯：

fill; mend; patch
【計】 complementation
【醫】 tonic
【經】 revamp

償的英語翻譯：

repay

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

專業解析

補償半導體（Compensated Semiconductor）是半導體物理學中描述雜質摻雜平衡狀态的專業術語，指通過引入施主雜質和受主雜質，使兩者的濃度相互抵消，從而調節材料導電性能的半導體類型。其核心原理基于半導體能帶結構中的電荷補償效應：當施主雜質（如磷、砷）提供的自由電子數量與受主雜質（如硼、鋁）提供的空穴數量接近時，材料呈現接近本征半導體的電中性特征，載流子濃度顯著降低。

這類半導體具備三個關鍵特性：

電阻率調控：通過精确控制摻雜比例，可在10^-3到10⁵ Ω·cm範圍内調整電阻率
溫度穩定性：補償效應可抑制載流子遷移率對溫度的敏感度
複合中心作用：雜質原子形成的局域态能級影響載流子壽命

在工程應用中，補償半導體常見于高功率器件、輻射探測器和光電傳感器領域。例如在PIN二極管中，通過補償摻雜形成的本征區可擴展耗盡層寬度，提升器件擊穿電壓和頻率響應特性。相關理論在《半導體器件物理》和IEEE電子器件會刊中均有系統闡述。

網絡擴展解釋

補償半導體，也稱為雜質補償半導體，是指通過摻雜施主雜質和受主雜質，利用兩者的電荷相互抵消作用來調節半導體導電性能的材料。以下是其核心特點及原理：

1.基本定義

補償半導體指同一半導體區域中同時存在施主雜質（如磷、砷，提供自由電子）和受主雜質（如硼、鋁，提供空穴）。當兩種雜質濃度接近時，它們的電荷效應會部分或完全抵消，導緻載流子（電子或空穴）濃度降低。

2.雜質補償機制

施主與受主作用：施主雜質電離後釋放電子，受主雜質電離後捕獲電子形成空穴。當兩者共存時，電子與空穴複合，有效載流子減少。
完全補償：若施主與受主雜質濃度相等，載流子幾乎被完全抵消，半導體表現出類似本征半導體的特性（導電性極低）。

3.應用與意義

器件設計：通過控制雜質比例，可精确調節半導體的電阻率、載流子遷移率等參數，用于制造二極管、晶體管等器件。
高功率器件優化：例如在MOSFET中，利用補償原理平衡漂移區的電荷，實現低電阻和高擊穿電壓的兼顧。

4.與普通半導體的區别

普通半導體通常僅含單一類型雜質（n型或p型），而補償半導體通過雙摻雜實現更複雜的電學調控，適用于高頻、高溫等特殊場景。

總結來看，補償半導體的核心在于通過施主-受主雜質的相互作用，實現對材料導電性能的精細控制，這一特性在微電子和功率器件領域具有重要價值。