补偿半导体英文解释翻译、补偿半导体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 compensated semiconductor

分词翻译：

补的英语翻译：

fill; mend; patch
【计】 complementation
【医】 tonic
【经】 revamp

偿的英语翻译：

repay

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

专业解析

补偿半导体（Compensated Semiconductor）是半导体物理学中描述杂质掺杂平衡状态的专业术语，指通过引入施主杂质和受主杂质，使两者的浓度相互抵消，从而调节材料导电性能的半导体类型。其核心原理基于半导体能带结构中的电荷补偿效应：当施主杂质（如磷、砷）提供的自由电子数量与受主杂质（如硼、铝）提供的空穴数量接近时，材料呈现接近本征半导体的电中性特征，载流子浓度显著降低。

这类半导体具备三个关键特性：

电阻率调控：通过精确控制掺杂比例，可在10^-3到10⁵ Ω·cm范围内调整电阻率
温度稳定性：补偿效应可抑制载流子迁移率对温度的敏感度
复合中心作用：杂质原子形成的局域态能级影响载流子寿命

在工程应用中，补偿半导体常见于高功率器件、辐射探测器和光电传感器领域。例如在PIN二极管中，通过补偿掺杂形成的本征区可扩展耗尽层宽度，提升器件击穿电压和频率响应特性。相关理论在《半导体器件物理》和IEEE电子器件会刊中均有系统阐述。

网络扩展解释

补偿半导体，也称为杂质补偿半导体，是指通过掺杂施主杂质和受主杂质，利用两者的电荷相互抵消作用来调节半导体导电性能的材料。以下是其核心特点及原理：

1.基本定义

补偿半导体指同一半导体区域中同时存在施主杂质（如磷、砷，提供自由电子）和受主杂质（如硼、铝，提供空穴）。当两种杂质浓度接近时，它们的电荷效应会部分或完全抵消，导致载流子（电子或空穴）浓度降低。

2.杂质补偿机制

施主与受主作用：施主杂质电离后释放电子，受主杂质电离后捕获电子形成空穴。当两者共存时，电子与空穴复合，有效载流子减少。
完全补偿：若施主与受主杂质浓度相等，载流子几乎被完全抵消，半导体表现出类似本征半导体的特性（导电性极低）。

3.应用与意义

器件设计：通过控制杂质比例，可精确调节半导体的电阻率、载流子迁移率等参数，用于制造二极管、晶体管等器件。
高功率器件优化：例如在MOSFET中，利用补偿原理平衡漂移区的电荷，实现低电阻和高击穿电压的兼顾。

4.与普通半导体的区别

普通半导体通常仅含单一类型杂质（n型或p型），而补偿半导体通过双掺杂实现更复杂的电学调控，适用于高频、高温等特殊场景。

总结来看，补偿半导体的核心在于通过施主-受主杂质的相互作用，实现对材料导电性能的精细控制，这一特性在微电子和功率器件领域具有重要价值。