泡克耳斯材料英文解釋翻譯、泡克耳斯材料的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 Pockels material; Pockels materials

分詞翻譯：

泡的英語翻譯：

bubble; froth; infuse; pickle; soak; steep
【醫】 bubble; Ves.; Vesic.; vesica; vesicle; vesico-

克的英語翻譯：

gram; gramme; overcome; restrain
【醫】 G.; Gm.; gram; gramme

耳的英語翻譯：

ear; erbium
【醫】 aures; auri-; auris; ear; ot-; oto-

斯的英語翻譯：

this
【化】 geepound

材料的英語翻譯：

data; datum; ******s; material; stuff
【醫】 data; datum; material; stock
【經】 material; materials; spoilage

專業解析

泡克耳斯材料（Pockels material）是一種具有線性電光效應的光學材料，其折射率隨外加電場呈線性變化。該效應由德國物理學家弗裡德裡希·卡爾·阿爾溫·泡克耳斯（Friedrich Carl Alwin Pockels）于1893年首次發現并系統研究，故稱為“泡克耳斯效應”。此類材料在高速光調制、激光調Q、光開關等領域有重要應用。

核心特性與原理

線性電光效應
當外加電場作用于泡克耳斯材料時，其折射率變化（Δn）與電場強度（E）成正比，即：

$$ Delta n = -frac{1}{2}n r E $$

其中 ( n ) 為材料折射率，( r ) 為電光系數。該效應源于電場引起的晶體晶格畸變，導緻光學各向異性改變。
材料分類
- 晶體類：如铌酸锂（LiNbO₃）、磷酸二氫鉀（KDP）、砷化镓（GaAs）等，具有非中心對稱晶體結構。
- 半導體與聚合物：部分半導體（如CdTe）和電光聚合物也可表現泡克耳斯效應。

典型應用場景

電光調制器
利用電場控制材料折射率，實現光信號的強度、相位或偏振調制，廣泛應用于光纖通信系統。

激光調Q技術
作為Q開關核心元件，通過電場快速改變諧振腔損耗，産生高功率脈沖激光。

光學傳感器
電場敏感特性使其適用于高精度電場/電壓傳感，如高壓輸電線監測。

與克爾材料的區别

特性	泡克耳斯材料	克爾材料
效應類型	線性電光效應（Δn ∝ E）	二次電光效應（Δn ∝ E²）
響應速度	皮秒級（更快）	納秒級
驅動電壓	較低（通常<10 kV）	較高（需強電場）
典型材料	LiNbO₃, KDP, GaAs	硝基苯, 液晶

權威參考文獻

光學基礎理論
Saleh, B.E.A., & Teich, M.C. Fundamentals of Photonics（光子學基礎）, Wiley.

鍊接：doi.org/10.1002/0471213748

電光材料綜述
IEEE Journal of Quantum Electronics, "Electro-Optic Materials for High-Speed Modulators"（高速調制器用電光材料）.

鍊接：doi.org/10.1109/JQE.2020.3012430

應用案例
Applied Physics Letters, "LiNbO₃ Modulators in 5G Networks"（铌酸锂調制器在5G網絡中的應用）.

鍊接：doi.org/10.1063/5.0046781

網絡擴展解釋

泡克耳斯材料（Pockels material）是一類具有線性電光效應的晶體或介質，其折射率隨外加電場線性變化。以下為詳細解釋：

1.基本定義與原理

泡克耳斯材料的核心特性是泡克耳斯效應（Pockels effect），即材料在電場作用下産生雙折射現象，且折射率變化（Δn）與電場強度（E）成正比，數學表達式為： $$ Δn = gamma cdot E $$ 其中γ為材料的電光系數。該效應僅存在于非中心對稱晶體（如铌酸锂、磷酸二氫鉀等）或特定極化介質中。

2.典型材料

無機晶體：如铌酸锂（LiNbO₃）、磷酸二氫鉀（KDP）、砷化镓（GaAs）等。
有機材料：電場極化高分子材料，其非線性系數可達傳統晶體的10倍。
特殊結構介質：如雙電層（EDL）界面材料，可通過電場調控折射率。

3.關鍵應用

電光調制器：利用泡克耳斯盒實現高速光調制（響應頻率達10¹⁰ Hz），用于激光通信、光開關等。
傳感器：通過電場-折射率變化檢測物理量（如電壓、電場強度）。
光學器件：用于光相位調制、Q開關激光器等。

4.與克爾效應的區别

泡克耳斯效應為線性電光效應（Δn ∝ E），而克爾效應為二次非線性效應（Δn ∝ E²），前者適用于高頻電場場景，後者常見于液體或各向同性介質。

5.性能參數

半波電壓（Uπ）：使光輸出達到最大所需電壓，通常要求較低以提高效率。
響應速度：可達皮秒級，適合高速光學系統。

如需進一步了解具體材料參數或應用案例，可參考、3、4中的實驗描述及理論分析。