泡克耳斯材料英文解释翻译、泡克耳斯材料的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【化】 Pockels material; Pockels materials

分词翻译：

泡的英语翻译：

bubble; froth; infuse; pickle; soak; steep
【医】 bubble; Ves.; Vesic.; vesica; vesicle; vesico-

克的英语翻译：

gram; gramme; overcome; restrain
【医】 G.; Gm.; gram; gramme

耳的英语翻译：

ear; erbium
【医】 aures; auri-; auris; ear; ot-; oto-

斯的英语翻译：

this
【化】 geepound

材料的英语翻译：

data; datum; ******s; material; stuff
【医】 data; datum; material; stock
【经】 material; materials; spoilage

专业解析

泡克耳斯材料（Pockels material）是一种具有线性电光效应的光学材料，其折射率随外加电场呈线性变化。该效应由德国物理学家弗里德里希·卡尔·阿尔温·泡克耳斯（Friedrich Carl Alwin Pockels）于1893年首次发现并系统研究，故称为“泡克耳斯效应”。此类材料在高速光调制、激光调Q、光开关等领域有重要应用。

核心特性与原理

线性电光效应
当外加电场作用于泡克耳斯材料时，其折射率变化（Δn）与电场强度（E）成正比，即：

$$ Delta n = -frac{1}{2}n r E $$

其中 ( n ) 为材料折射率，( r ) 为电光系数。该效应源于电场引起的晶体晶格畸变，导致光学各向异性改变。
材料分类
- 晶体类：如铌酸锂（LiNbO₃）、磷酸二氢钾（KDP）、砷化镓（GaAs）等，具有非中心对称晶体结构。
- 半导体与聚合物：部分半导体（如CdTe）和电光聚合物也可表现泡克耳斯效应。

典型应用场景

电光调制器
利用电场控制材料折射率，实现光信号的强度、相位或偏振调制，广泛应用于光纤通信系统。

激光调Q技术
作为Q开关核心元件，通过电场快速改变谐振腔损耗，产生高功率脉冲激光。

光学传感器
电场敏感特性使其适用于高精度电场/电压传感，如高压输电线监测。

与克尔材料的区别

特性	泡克耳斯材料	克尔材料
效应类型	线性电光效应（Δn ∝ E）	二次电光效应（Δn ∝ E²）
响应速度	皮秒级（更快）	纳秒级
驱动电压	较低（通常<10 kV）	较高（需强电场）
典型材料	LiNbO₃, KDP, GaAs	硝基苯, 液晶

权威参考文献

光学基础理论
Saleh, B.E.A., & Teich, M.C. Fundamentals of Photonics（光子学基础）, Wiley.

链接：doi.org/10.1002/0471213748

电光材料综述
IEEE Journal of Quantum Electronics, "Electro-Optic Materials for High-Speed Modulators"（高速调制器用电光材料）.

链接：doi.org/10.1109/JQE.2020.3012430

应用案例
Applied Physics Letters, "LiNbO₃ Modulators in 5G Networks"（铌酸锂调制器在5G网络中的应用）.

链接：doi.org/10.1063/5.0046781

网络扩展解释

泡克耳斯材料（Pockels material）是一类具有线性电光效应的晶体或介质，其折射率随外加电场线性变化。以下为详细解释：

1.基本定义与原理

泡克耳斯材料的核心特性是泡克耳斯效应（Pockels effect），即材料在电场作用下产生双折射现象，且折射率变化（Δn）与电场强度（E）成正比，数学表达式为： $$ Δn = gamma cdot E $$ 其中γ为材料的电光系数。该效应仅存在于非中心对称晶体（如铌酸锂、磷酸二氢钾等）或特定极化介质中。

2.典型材料

无机晶体：如铌酸锂（LiNbO₃）、磷酸二氢钾（KDP）、砷化镓（GaAs）等。
有机材料：电场极化高分子材料，其非线性系数可达传统晶体的10倍。
特殊结构介质：如双电层（EDL）界面材料，可通过电场调控折射率。

3.关键应用

电光调制器：利用泡克耳斯盒实现高速光调制（响应频率达10¹⁰ Hz），用于激光通信、光开关等。
传感器：通过电场-折射率变化检测物理量（如电压、电场强度）。
光学器件：用于光相位调制、Q开关激光器等。

4.与克尔效应的区别

泡克耳斯效应为线性电光效应（Δn ∝ E），而克尔效应为二次非线性效应（Δn ∝ E²），前者适用于高频电场场景，后者常见于液体或各向同性介质。

5.性能参数

半波电压（Uπ）：使光输出达到最大所需电压，通常要求较低以提高效率。
响应速度：可达皮秒级，适合高速光学系统。

如需进一步了解具体材料参数或应用案例，可参考、3、4中的实验描述及理论分析。