旁瓣電平英文解釋翻譯、旁瓣電平的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 side lobe level

分詞翻譯：

旁的英語翻譯：

other; side
【醫】 latero-; meta-; para-

瓣的英語翻譯：

petal; piston
【醫】 flap; valva; valve; valvula; valvulae; valvule

電的英語翻譯：

electricity
【計】 telewriting
【化】 electricity
【醫】 Elec.; electricity; electro-; galvano-

平的英語翻譯：

calm; draw; equal; even; flat; peaceful; plane; smooth; suppress; tie
【醫】 plano-

專業解析

旁瓣電平（Sidelobe Level）是天線與電磁波傳播領域的核心參數，其定義為：天線方向圖中，旁瓣的最大輻射強度與主瓣最大輻射強度的比值，通常以分貝（dB）表示，數學表達式為： $$ text{SLL} = 10 log{10} left( frac{P{text{sidelobe}}}{P_{text{mainlobe}}} right) quad text{(dB)} $$

該指标直接影響系統性能。在雷達系統中，高旁瓣電平會導緻虛假目标檢測（如《雷達手冊》第3.2章所述，而衛星通信則要求旁瓣電平低于-25dB以保證頻段隔離度（ITU-R SM.1448建議書。IEEE天線與傳播彙刊的多項研究證實，通過泰勒加權或切比雪夫陣列設計可将旁瓣電平優化至-30dB以下。

參考來源

Constantine A. Balanis, Antenna Theory: Analysis and Design
Merrill I. Skolnik, Radar Handbook
ITU-R Recommendation SM.1448
IEEE Transactions on Antennas and Propagation

網絡擴展解釋

旁瓣電平是天線輻射方向圖中的重要參數，具體解釋如下：

基本定義
旁瓣電平指天線方向圖中，離主瓣最近且電平最高的第一旁瓣與主瓣最大輻射強度的比值，通常以分貝（dB）表示。主瓣承載主要輻射能量，而旁瓣是其他方向的次要輻射波瓣，其中第一旁瓣通常電平最高，對系統幹擾最大。
計算方法
用公式表示為：
$$ text{FSLL} = 20 log{10} left( frac{E{text{旁瓣}}}{E{text{主瓣}}} right) quad (text{單位：dB}) $$
其中，(E{text{旁瓣}})和(E_{text{主瓣}})分别為旁瓣和主瓣的電場最大值。
應用與重要性

旁瓣電平越低，說明天線能量越集中于主瓣方向，抗幹擾能力越強。
在雷達、通信系統中，高旁瓣電平可能導緻信號串擾或被敵方探測，因此需優化設計以抑制旁瓣。

相關概念

前後比：主瓣與後瓣（向後輻射的波瓣）電平的比值，反映天線前後輻射抑制能力。
副瓣：除主瓣外的所有旁瓣統稱，第一副瓣電平常作為關鍵指标。

補充說明
“電平”本身表示電信號強度相對參考值的對數關系（如功率或電壓），分貝單位便于描述大範圍變化的信號強度。

如需進一步了解具體天線設計中的旁瓣抑制技術，可參考相關工程文獻或專業資料。