
【计】 side lobe level
other; side
【医】 latero-; meta-; para-
petal; piston
【医】 flap; valva; valve; valvula; valvulae; valvule
electricity
【计】 telewriting
【化】 electricity
【医】 Elec.; electricity; electro-; galvano-
calm; draw; equal; even; flat; peaceful; plane; smooth; suppress; tie
【医】 plano-
旁瓣电平(Sidelobe Level)是天线与电磁波传播领域的核心参数,其定义为:天线方向图中,旁瓣的最大辐射强度与主瓣最大辐射强度的比值,通常以分贝(dB)表示,数学表达式为: $$ text{SLL} = 10 log{10} left( frac{P{text{sidelobe}}}{P_{text{mainlobe}}} right) quad text{(dB)} $$
该指标直接影响系统性能。在雷达系统中,高旁瓣电平会导致虚假目标检测(如《雷达手册》第3.2章所述,而卫星通信则要求旁瓣电平低于-25dB以保证频段隔离度(ITU-R SM.1448建议书。IEEE天线与传播汇刊的多项研究证实,通过泰勒加权或切比雪夫阵列设计可将旁瓣电平优化至-30dB以下。
参考来源
旁瓣电平是天线辐射方向图中的重要参数,具体解释如下:
基本定义
旁瓣电平指天线方向图中,离主瓣最近且电平最高的第一旁瓣与主瓣最大辐射强度的比值,通常以分贝(dB)表示。主瓣承载主要辐射能量,而旁瓣是其他方向的次要辐射波瓣,其中第一旁瓣通常电平最高,对系统干扰最大。
计算方法
用公式表示为:
$$
text{FSLL} = 20 log{10} left( frac{E{text{旁瓣}}}{E{text{主瓣}}} right) quad (text{单位:dB})
$$
其中,(E{text{旁瓣}})和(E_{text{主瓣}})分别为旁瓣和主瓣的电场最大值。
应用与重要性
如需进一步了解具体天线设计中的旁瓣抑制技术,可参考相关工程文献或专业资料。
补餐具室点弧装置东茛菪属多乙烯二醇放映氟尿嘧啶隔膜封填公民自由工业调整霍耳茨克内希特氏间隙检举寄存器存储器谨小慎微的康庄大道孔结构流层离子气锰绿凝聚色量计施瓦耳贝氏鞘硕大白蛉酸凝集诉讼费保证金特压调节装置通知贷款利率外缩作用