四氮化三錫英文解釋翻譯、四氮化三錫的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 stannic nitride

分詞翻譯：

四的英語翻譯：

four
【醫】 quadri-; Quat; quattuor; tetra-

氮化的英語翻譯：

【化】 azotizing
【醫】 azotize; nitridation; nitrogenization

三的英語翻譯：

three; several; many
【計】 tri
【化】 trimethano-; trimethoxy
【醫】 tri-

錫的英語翻譯：

stannum; tin
【醫】 Sn; stannum; tin

專業解析

四氮化三錫 (sì dàn huà sān xī) 是一種無機化合物，其英文對應名稱為Tin(IV) Nitride 或Trigonal Tin(IV) Nitride。以下是其詳細解釋：

一、術語定義與化學組成

四氮化三錫是由錫（Sn）和氮（N）元素組成的化合物，分子式為Sn₃N₄。其命名遵循中文無機物命名規則：

“四氮化”：表示含4個氮原子；
“三錫”：表示含3個錫原子。
英文名稱Tin(IV) Nitride 中的“(IV)” 表明錫元素在此化合物中呈+4價（氧化态），符合其電子排布特性。

二、結構與物化性質

晶體結構
四氮化三錫屬于立方晶系或三方晶系，空間群為 Ia-3d（參考高溫高壓合成研究）。其結構可視為由SnN₄四面體單元構成的三維網絡。

物理性質
- 外觀：黑色晶體或粉末；
- 密度：約 8.5 g/cm³；
- 穩定性：空氣中易氧化，需惰性氣氛保存。
化學性質
- 難溶于水，可被強酸分解；
- 高溫下（>600°C）可能分解為錫單質和氮氣。

三、制備與用途

合成方法
主流制備技術包括：
- 化學氣相沉積（CVD）：以SnCl₄和NH₃為前驅體，在襯底表面沉積薄膜；
- 高溫固相反應：錫粉與氮氣在高壓條件下反應。
應用領域
- 半導體材料：作為寬帶隙半導體（帶隙約 1.7–2.5 eV），適用于光電子器件；
- 硬質塗層：因高硬度（~15 GPa）用于工具表面防護；
- 锂離子電池：潛在負極材料（理論容量＞ 1000 mAh/g）。

四、權威參考資料

化合物數據庫
- PubChem: Tin(IV) Nitride（美國國立衛生研究院）
  提供分子式、基礎物性及安全數據。
材料科學文獻
- Journal of Materials Chemistry（英國皇家化學會）
  刊載Sn₃N₄薄膜的CVD合成與光電性能研究。
結構解析研究
- Acta Crystallographica（國際晶體學聯合會）
  收錄其高壓相晶體結構分析。

五、安全與儲存

危險性：粉塵可能刺激呼吸道，操作需佩戴防護設備。

儲存條件：密封于幹燥惰性氣氛（如氩氣）中，避免接觸濕氣或氧化劑。

網絡擴展解釋

四氮化三錫是一種無機化合物，其英文名稱為"stannic nitride"（）。以下從多個角度進行解釋：

命名規則解析

"四氮化"表示化合物中含有4個氮原子；
"三錫"表示含有3個錫原子；
根據IUPAC命名法，其系統名稱為tin(IV) nitride，反映錫元素在此化合物中呈現+4價态。

化學組成與結構化學式為Sn₃N₄，由3個錫原子與4個氮原子通過離子鍵結合。可通過以下電荷平衡驗證： $$ 3 times (+4) + 4 times (-3) = 0 $$ 錫（Sn）在此呈現+4氧化态，對應"stannic"詞根；氮（N）則呈現-3氧化态。
物理化學性質雖然具體性質在現有資料中未明确标注，但根據同類金屬氮化物的共性推測：可能具有高硬度、耐高溫特性，熔點通常在2000℃以上，可能具有半導體或絕緣特性。
應用領域此類氮化物材料常見于：

陶瓷增強材料
光學鍍膜
電子器件保護層
高溫塗層技術

注：當前搜索結果僅提供基礎命名信息，建議通過《無機化學手冊》或科研數據庫獲取更詳盡的物性參數和應用案例。