四層半導體開關管英文解釋翻譯、四層半導體開關管的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 binistor

four
【醫】 quadri-; Quat; quattuor; tetra-

layer; region; stage; story; stratum; tier
【計】 layer
【醫】 coat; lamella; lamellae; lamina; laminae; layer; strata; stratum

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

【醫】 switch valves

四層半導體開關管（Four-layer semiconductor switching device）是一種基于PNPN結構的電力電子器件，其核心特征是通過四層交替摻雜的半導體材料實現可控導通與關斷。該器件在高壓大電流場景中具有關鍵作用，主要包含以下特性：

結構原理
四層半導體開關管由三個PN結（J1、J2、J3）構成，形成P-N-P-N疊層結構。當陽極與陰極間施加正向電壓且控制極注入觸發電流時，内部載流子再生效應引發器件導通，呈現低阻态。關斷需通過電流降至維持電流以下或施加反向電壓實現（來源：IEEE Xplore文獻庫）。
典型器件類型

晶閘管（Thyristor/Silicon Controlled Rectifier, SCR）：基礎型四層器件，通過門極脈沖控制導通，廣泛用于交流調壓電路（來源：東芝半導體技術手冊）。
門極可關斷晶閘管（Gate Turn-Off Thyristor, GTO）：增加門極反向關斷能力，適用于高壓直流輸電（來源：英飛淩應用筆記）。

核心參數
關鍵指标包括阻斷電壓（最高達8kV）、通态電流（數百至數千安培）、觸發靈敏度（門極觸發電流/電壓）及開關速度（微秒至毫秒級）（來源：《電力電子技術》第5版，王兆安著）。
應用領域

該器件的中英術語對照為：

四層半導體開關管是一種基于PNPN四層結構的半導體器件，主要用于控制高電壓、大電流的開關操作。以下是其核心要點解析：

四層PNPN結構
由四層交替排列的P型和N型半導體材料構成，形成三個PN結（如P-N-P-N排列）。典型代表包括：
- 晶閘管（可控矽，SCR）：含陽極（A）、陰極（K）、門極（G）三個電極，通過門極信號控制導通。
- 四極晶閘管（SCS）：擴展為四個電極（陽極A、陰極K、陽極控制極GA、陰極控制極GK），功能更靈活。

導通與關斷機制
- 在陽極與陰極間施加正向電壓時，若門極觸發適當電流，器件進入導通狀态，電流由陽極流向陰極。
- 關斷需通過降低陽極電流或施加反向電壓實現，部分類型（如門極關斷晶閘管）可直接通過控制極信號關斷。

四層半導體開關管因結構差異衍生出多種類型（如普通晶閘管、雙向可控矽、門極關斷晶閘管等），需根據具體電路需求選擇。其核心優勢在于将小信號控制與大功率負載管理高效結合。