雙向存儲開關英文解釋翻譯、雙向存儲開關的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 ovonic memory switch; ovonic threshold switch

分詞翻譯：

雙向的英語翻譯：

【計】 bothway; bustophedon; duplexing

存儲的英語翻譯：

memory; storage
【計】 MU; storager
【經】 storage; store

開關的英語翻譯：

on-off; stopcock; switch
【計】 disjunctor; S; SW; switch
【化】 switch
【醫】 switch

專業解析

雙向存儲開關（Bilateral Storage Switch）是電子工程與計算機硬件中的關鍵元件，主要用于控制數據或信號在雙向傳輸路徑中的流動與暫存。以下從漢英詞典角度及技術原理進行詳細解釋：

一、術語解析

雙向（Bidirectional）
指信號或數據可在兩個方向（如A→B或B→A）自由傳輸，常見于總線系統（如I²C、USB）。

英文對照：Bidirectional (operating in two directions)
存儲（Storage）
指元件具備暫存數據的能力，通常通過鎖存器（Latch）或觸發器（Flip-flop）實現狀态保持。

英文對照：Storage (retaining data state temporarily)
開關（Switch）
控制電路通斷的半導體器件（如MOSFET），通過栅極電壓導通/截止電流路徑。

英文對照：Switch (electronic component controlling current flow)

二、技術原理

雙向存儲開關的核心是集成開關與存儲功能的CMOS電路，其工作特性如下：

雙向傳輸：通過對稱的晶體管布局（如傳輸門結構），實現雙向信號傳遞。
典型電路：

$$ text{Switch} = text{NMOS} parallel text{PMOS}

$$

數據鎖存：輸出端連接鎖存器，在開關斷開時保持上一狀态（參見：數字邏輯設計基礎）。
低功耗設計：靜态存儲特性在待機時幾乎不耗能，適用于便攜設備。

三、應用場景

内存單元控制
在SRAM中作為位線（Bit Line）開關，協調讀寫操作的雙向數據流。

數據總線緩沖
用于微處理器與外圍設備間的雙向緩沖器（如74LVC245芯片）。

可編程邏輯器件
FPGA中配置為可重構I/O端口，支持雙向信號路由。

四、權威參考

半導體器件基礎
《Microelectronic Circuits》（Sedra/Smith）第7章詳細分析CMOS開關結構。

數字系統設計
《Digital Design and Computer Architecture》（Harris & Harris）闡釋存儲開關在總線中的應用。

IEEE标準定義
IEEE Std 100《電子與電氣術語标準》對"Bilateral Switch"的明确定義（條款 221）。

注：本文技術描述參考經典教材與行業标準，符合原則。具體電路實現可查閱權威文獻如《CMOS VLSI Design》（Weste & Harris）。

網絡擴展解釋

“雙向存儲開關”對應的英文為Ovonic Memory Switch（縮寫為OMS），是一種基于相變材料（如硫系化合物）的電子器件，主要用于非易失性存儲技術。以下是詳細解釋：

1.核心原理

相變效應：通過電脈沖改變材料的物理狀态（晶态與非晶态），晶态導電性高（邏輯“1”），非晶态電阻高（邏輯“0”），實現數據存儲。這種可逆轉變被稱為“奧弗辛斯基效應”（Ovshinsky effect）。
雙向性：電流可雙向流動，既能寫入（SET/RESET）也能讀取數據，且狀态切換不依賴電流方向。

2.結構特點

通常由上下電極夾着相變材料（如Ge₂Sb₂Te₅，簡稱GST合金）構成。
電極施加電壓後，材料局部受熱發生相變，完成存儲單元的狀态切換。

3.應用領域

相變存儲器（PCM）：用于替代傳統閃存，具有高速、高耐久性特點，例如英特爾3D XPoint技術。
類腦計算：模拟神經突觸的可塑性，用于人工神經網絡硬件設計。

4.優勢

非易失性：斷電後數據不丢失。
低功耗：相變過程能耗低于傳統晶體管開關。
高密度集成：可通過三維堆疊提升存儲容量。

若需進一步了解材料設計或具體電路實現，可參考相變存儲器相關研究文獻。