
【電】 dual grid power tube
both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par
bar
【計】 power tube
雙栅功率管(Dual-Gate Power Transistor)是一種具有兩個獨立栅極結構的場效應晶體管(FET),廣泛應用于高頻功率放大、射頻調制及信號控制領域。其核心設計通過第二栅極引入額外的控制維度,可實現增益調節、阻抗匹配優化以及非線性失真抑制。在結構上,雙栅管通常采用垂直導電模式,兩個栅極分别位于源極和漏極之間,形成級聯放大單元,從而提升功率處理能力和隔離度。
從功能角度分析,第一栅極(G1)主要用于信號輸入,第二栅極(G2)則承擔偏置電壓調節或自動增益控制(AGC)功能。這種分立控制機制顯著降低了交叉調制幹擾,尤其在微波頻段(如2.4GHz WiFi模塊)中可保持高線性度輸出。國際電氣電子工程師協會(IEEE)的研究表明,雙栅結構能使功率附加效率(PAE)提升15%-20%,同時将諧波失真降低至-50dBc以下。
典型應用場景包括:
行業标準IEC 60747-8明确指出,雙栅功率管的動态範圍比單栅結構擴大40%,這得益于其獨特的電荷耦合效應和分布式電容優化設計。美國專利US9825603B2進一步揭示了通過栅極摻雜梯度調節實現熱穩定性提升的工藝方案。
雙栅功率管(Dual Grid Power Tube)是一種具有特殊結構的電子功率器件,其核心特征如下:
結構特性
功能優勢
典型應用場景
注:由于當前搜索結果權威性較低,建議通過《電子器件手冊》或IEEE文獻獲取更詳細的技術參數和應用案例。該器件在現代半導體技術中已較少使用,主要應用于特殊領域或傳統設備維護。
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