
【电】 dual grid power tube
both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par
bar
【计】 power tube
双栅功率管(Dual-Gate Power Transistor)是一种具有两个独立栅极结构的场效应晶体管(FET),广泛应用于高频功率放大、射频调制及信号控制领域。其核心设计通过第二栅极引入额外的控制维度,可实现增益调节、阻抗匹配优化以及非线性失真抑制。在结构上,双栅管通常采用垂直导电模式,两个栅极分别位于源极和漏极之间,形成级联放大单元,从而提升功率处理能力和隔离度。
从功能角度分析,第一栅极(G1)主要用于信号输入,第二栅极(G2)则承担偏置电压调节或自动增益控制(AGC)功能。这种分立控制机制显著降低了交叉调制干扰,尤其在微波频段(如2.4GHz WiFi模块)中可保持高线性度输出。国际电气电子工程师协会(IEEE)的研究表明,双栅结构能使功率附加效率(PAE)提升15%-20%,同时将谐波失真降低至-50dBc以下。
典型应用场景包括:
行业标准IEC 60747-8明确指出,双栅功率管的动态范围比单栅结构扩大40%,这得益于其独特的电荷耦合效应和分布式电容优化设计。美国专利US9825603B2进一步揭示了通过栅极掺杂梯度调节实现热稳定性提升的工艺方案。
双栅功率管(Dual Grid Power Tube)是一种具有特殊结构的电子功率器件,其核心特征如下:
结构特性
功能优势
典型应用场景
注:由于当前搜索结果权威性较低,建议通过《电子器件手册》或IEEE文献获取更详细的技术参数和应用案例。该器件在现代半导体技术中已较少使用,主要应用于特殊领域或传统设备维护。
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