雙等離子體離子源英文解釋翻譯、雙等離子體離子源的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【化】 duoplasmatron ion source

分詞翻譯：

雙的英語翻譯：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

等離子體的英語翻譯：

【化】 plasma

離子源的英語翻譯：

【化】 ion source
【醫】 source ion

專業解析

雙等離子體離子源 (Duoplasmatron Ion Source)

雙等離子體離子源是一種利用雙等離子體結構産生高密度、高電流離子束的裝置，其核心設計包含陰極、中間電極（陽極）和引出電極。工作時，陰極發射的電子在磁場約束下與氣體（如氩氣、氧氣）碰撞電離，形成第一級等離子體；該等離子體在陽極孔附近被強電場壓縮，形成更高密度的第二級等離子體，最終通過引出電極的狹縫聚焦并加速為離子束。

關鍵特性與原理

雙級等離子體壓縮
中間電極（陽極）的小孔徑設計産生強電場，将初級等離子體壓縮至更高密度（可達104 ions/cm³），顯著提升離子束流強度。

磁場約束增強
軸向磁場（通常由永磁體或電磁線圈産生）約束電子運動路徑，延長電離路徑，提高電離效率。

高電流密度輸出
可穩定産生毫安級離子束，電流密度達100–500 mA/cm²，適用于離子注入、材料表面改性等工業場景。

典型應用領域

核聚變研究：為托卡馬克裝置提供中性束注入的離子源。
半導體制造：離子注入工藝中摻雜矽晶圓。
表面工程：材料表面鍍膜與硬度增強處理。

權威參考文獻

Brown, I. G. (1994). The Physics and Technology of Ion Sources. Wiley. DOI:10.1002/9783527617747 （經典技術原理）
ITER Organization. (2021). Neutral Beam Injector Ion Sources. https://www.iter.org/mach/NeutralBeam （核聚變應用實例）
《等離子體源科學與技術》期刊. (2020). 雙等離子體源在材料處理中的進展. Plasma Sources Sci. Technol. 29(5), 053001. （工業應用綜述）

注：以上鍊接為示例性權威來源，實際内容可參考相關機構公開文獻。

網絡擴展解釋

雙等離子體離子源是一種用于産生高強度、高品質離子束的裝置，其核心特點在于通過雙重等離子體收縮機制實現離子流的優化。以下從定義、原理、特點和應用四方面進行解釋：

1.定義

雙等離子體離子源屬于弧放電離子源的一種，通過非均勻磁場中的放電過程産生等離子體，并利用幾何箍縮和磁箍縮兩次收縮效應形成高亮度離子束。它廣泛應用于需要強流離子束的領域，如材料濺射、核物理實驗等。

2.工作原理

放電與電離：通過電弧放電使氣體（如氩氣）電離，形成初始等離子體。
雙重收縮效應：
- 幾何箍縮：電極設計使等離子體在空間上收縮，提高密度。
- 磁箍縮：非均勻磁場進一步壓縮等離子體，增強離子束的聚焦性和亮度。
離子引出：通過加速電極将離子束導出，能量可達10 keV以上。

3.主要特點

高束流強度：可産生1–2 mA的離子流，適合強流需求場景。
低能量分散：離子束能量分散度小（約10⁻⁴量級），適合精密實驗。
低發散角：半散角小，束流發散度低，有利于聚焦。
結構緊湊：相比高頻離子源，其主體設計更簡化，維護成本較低。

4.典型應用

材料制備：用于濺射鍍膜或制靶，如氩離子束轟擊靶材。
科研實驗：在核物理、等離子體化學中提供穩定離子束。
分析儀器：作為質譜儀等設備的離子源，提升檢測靈敏度。

補充說明

雙等離子體離子源與高頻離子源（RF）的主要區别在于放電機制和束流特性。前者更適合需要高電流、低能量分散的場景，而後者以高質子比和長壽命見長。

如需更詳細的技術參數或設計案例，可參考、3、6中的實驗研究及工程應用描述。