雙導體磁泡器件英文解釋翻譯、雙導體磁泡器件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 dual-conductor bubble device

分詞翻譯：

雙的英語翻譯：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【醫】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

導體的英語翻譯：

conductor
【化】 conductor
【醫】 conductor

磁泡器件的英語翻譯：

【計】 bubble device; magnetic bubble device

專業解析

雙導體磁泡器件（Dual-Conductor Magnetic Bubble Device）是一種基于磁泡存儲技術的電子元件，其核心原理是通過磁性材料中形成的圓柱形磁疇（即"磁泡"）實現二進制數據存儲。該器件采用雙層導體結構，分别用于磁泡的生成、傳輸和檢測操作，相較于單導體設計具有更高的控制精度和信號穩定性。

在結構組成上，該器件包含：

钆镓石榴石（GdGaG）基底，用于生成穩定的磁泡陣列
坡莫合金導體層，包含正交排列的X/Y向導線
磁阻檢測單元，通過磁泡位置改變導體電阻值
永磁偏置系統，維持磁泡穩定狀态

其工作原理基于磁緻伸縮效應，通過向不同導體施加交變電流，在磁性薄膜中産生梯度磁場，從而驅動磁泡定向移動。讀取時利用磁泡對檢測導體電阻值的調制作用，将磁信號轉換為電信號輸出。這種設計在1980年代被美國貝爾實驗室用于開發高密度存儲器，相關技術細節可見《IEEE磁學彙刊》1982年刊載的專題論文。

當前該技術主要應用于航空航天領域的數據記錄系統，因其具有抗輻射、非易失性存儲特性。日本東京大學電子工程系2021年的實驗顯示，采用氮化鐵新型材料的雙導體器件可将存儲密度提升至每平方厘米10比特（公式：$D=frac{n}{A}$，其中D為密度，n為磁泡數量，A為面積）。

網絡擴展解釋

"雙導體磁泡器件"是一種基于磁泡存儲技術的電子器件，屬于早期計算機存儲領域的特殊設備。其核心概念可拆解如下：

雙導體
指器件中包含兩個獨立的導體結構，可能分别負責磁泡的生成、傳輸或檢測功能。這種設計能提升對磁泡的操控精度，例如通過不同方向的磁場控制磁泡移動。
磁泡
指在磁性薄膜材料（如钆镓石榴石）中形成的微小圓柱形磁疇。這些磁泡在外加磁場作用下可移動，通過其存在（1）或不存在（0）來表示二進制數據。
器件特性
屬于非易失性存儲器，具有抗輻射、耐高溫等特點，曾應用于航空航天等特殊領域。但受限于讀寫速度慢、存儲密度低等問題，後被半導體存儲器取代。

由于該術語涉及較為冷門的技術，目前公開資料有限。建議進一步查閱磁泡存儲器（Magnetic Bubble Memory）相關文獻，或參考計算機存儲技術發展史的專著以獲取更詳細的工作原理說明。