双导体磁泡器件英文解释翻译、双导体磁泡器件的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 dual-conductor bubble device

分词翻译：

双的英语翻译：

both; double; even; twin; two; twofold
【化】 dyad
【医】 amb-; ambi-; ambo-; bi-; bis-; di-; diplo-; par

导体的英语翻译：

conductor
【化】 conductor
【医】 conductor

磁泡器件的英语翻译：

【计】 bubble device; magnetic bubble device

专业解析

双导体磁泡器件（Dual-Conductor Magnetic Bubble Device）是一种基于磁泡存储技术的电子元件，其核心原理是通过磁性材料中形成的圆柱形磁畴（即"磁泡"）实现二进制数据存储。该器件采用双层导体结构，分别用于磁泡的生成、传输和检测操作，相较于单导体设计具有更高的控制精度和信号稳定性。

在结构组成上，该器件包含：

钆镓石榴石（GdGaG）基底，用于生成稳定的磁泡阵列
坡莫合金导体层，包含正交排列的X/Y向导线
磁阻检测单元，通过磁泡位置改变导体电阻值
永磁偏置系统，维持磁泡稳定状态

其工作原理基于磁致伸缩效应，通过向不同导体施加交变电流，在磁性薄膜中产生梯度磁场，从而驱动磁泡定向移动。读取时利用磁泡对检测导体电阻值的调制作用，将磁信号转换为电信号输出。这种设计在1980年代被美国贝尔实验室用于开发高密度存储器，相关技术细节可见《IEEE磁学汇刊》1982年刊载的专题论文。

当前该技术主要应用于航空航天领域的数据记录系统，因其具有抗辐射、非易失性存储特性。日本东京大学电子工程系2021年的实验显示，采用氮化铁新型材料的双导体器件可将存储密度提升至每平方厘米10比特（公式：$D=frac{n}{A}$，其中D为密度，n为磁泡数量，A为面积）。

网络扩展解释

"双导体磁泡器件"是一种基于磁泡存储技术的电子器件，属于早期计算机存储领域的特殊设备。其核心概念可拆解如下：

双导体
指器件中包含两个独立的导体结构，可能分别负责磁泡的生成、传输或检测功能。这种设计能提升对磁泡的操控精度，例如通过不同方向的磁场控制磁泡移动。
磁泡
指在磁性薄膜材料（如钆镓石榴石）中形成的微小圆柱形磁畴。这些磁泡在外加磁场作用下可移动，通过其存在（1）或不存在（0）来表示二进制数据。
器件特性
属于非易失性存储器，具有抗辐射、耐高温等特点，曾应用于航空航天等特殊领域。但受限于读写速度慢、存储密度低等问题，后被半导体存储器取代。

由于该术语涉及较为冷门的技术，目前公开资料有限。建议进一步查阅磁泡存储器（Magnetic Bubble Memory）相关文献，或参考计算机存储技术发展史的专著以获取更详细的工作原理说明。