突崩振蕩器英文解釋翻譯、突崩振蕩器的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 avalanche oscillator

【電】 avalanche effect; cumulative ionization

【醫】 agitator; oscillator

突崩振蕩器（Avalanche Oscillator）是一種利用半導體 PN 結在反向擊穿區（雪崩擊穿區）工作時産生的負阻效應來産生高頻振蕩的電子器件。其核心原理基于載流子在強電場下的雪崩倍增效應和渡越時間效應相結合，實現微波至毫米波頻段的信號生成。

術語定義
- 中文術語：突崩振蕩器（或稱“雪崩振蕩器”、“崩越振蕩器”）
- 英文術語：IMPATT Oscillator（IMPact ionization Avalanche Transit Time）
  IMPATT 是“碰撞電離雪崩渡越時間”的縮寫，精确描述了器件的工作機理：載流子通過碰撞電離引發雪崩倍增，并在渡越時間内形成相位延遲，從而産生負阻特性。
工作機理
當 PN 結施加反向偏壓至雪崩擊穿電壓以上時，強電場使載流子（電子或空穴）獲得足夠動能撞擊晶格原子，産生新的電子-空穴對（雪崩倍增）。新載流子的産生滞後于電場變化，結合載流子在耗盡層的渡越時間，形成電流相位滞後于電壓的特性（負阻效應），進而通過諧振電路維持持續振蕩。
典型結構與材料
- 結構：常見為 Read 二極管（N⁺-P-I-P⁺ 或 P⁺-N-I-N⁺），其中 I 為本征層，優化載流子渡越時間。
- 材料：矽（Si）、砷化镓（GaAs）或磷化铟（InP），工作頻段覆蓋 3–300 GHz 。
應用場景
主要用于毫米波通信、雷達系統及電子對抗設備，因其高頻輸出能力（可達 300 GHz）和較高功率效率（約 10–15%）而成為關鍵微波源。

半導體器件經典教材
S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（Wiley），第 7 章詳述雪崩擊穿與渡越時間效應。

微波工程手冊
M. Golio, The RF and Microwave Handbook（CRC Press），第 3.4 節分析 IMPATT 振蕩器設計。

關于“突崩振蕩器”，根據現有搜索結果及相關電子學知識，可能存在以下兩種可能性：

在提供的搜索結果中，未直接提及“突崩振蕩器”這一術語，但存在類似的振蕩器分類。推測可能存在以下情況：

術語混淆：可能是“弛張振蕩器”（Relaxation Oscillator）的誤譯或拼寫錯誤。提到振蕩器分為諧波振蕩器和弛張振蕩器，後者通過電容充放電産生非正弦波形（如方波、鋸齒波），其工作過程類似“突崩”式的能量釋放。
特定領域術語：若為專業領域（如高頻電路或半導體物理）中的術語，可能涉及“雪崩振蕩器”（Avalanche Oscillator），利用雪崩擊穿效應産生脈沖，但此類型未在搜索結果中體現。

若用戶實際指“弛張振蕩器”或“脈沖振蕩器”，其特點如下：

若需進一步确認術語準确性，請提供更多上下文或英文原名（如“Burst Oscillator”或“Avalanche Oscillator”）。當前解釋基于現有中文資料及相近技術原理推導。