突崩振荡器英文解释翻译、突崩振荡器的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 avalanche oscillator

【电】 avalanche effect; cumulative ionization

【医】 agitator; oscillator

突崩振荡器（Avalanche Oscillator）是一种利用半导体 PN 结在反向击穿区（雪崩击穿区）工作时产生的负阻效应来产生高频振荡的电子器件。其核心原理基于载流子在强电场下的雪崩倍增效应和渡越时间效应相结合，实现微波至毫米波频段的信号生成。

术语定义
- 中文术语：突崩振荡器（或称“雪崩振荡器”、“崩越振荡器”）
- 英文术语：IMPATT Oscillator（IMPact ionization Avalanche Transit Time）
  IMPATT 是“碰撞电离雪崩渡越时间”的缩写，精确描述了器件的工作机理：载流子通过碰撞电离引发雪崩倍增，并在渡越时间内形成相位延迟，从而产生负阻特性。
工作机理
当 PN 结施加反向偏压至雪崩击穿电压以上时，强电场使载流子（电子或空穴）获得足够动能撞击晶格原子，产生新的电子-空穴对（雪崩倍增）。新载流子的产生滞后于电场变化，结合载流子在耗尽层的渡越时间，形成电流相位滞后于电压的特性（负阻效应），进而通过谐振电路维持持续振荡。
典型结构与材料
- 结构：常见为 Read 二极管（N⁺-P-I-P⁺ 或 P⁺-N-I-N⁺），其中 I 为本征层，优化载流子渡越时间。
- 材料：硅（Si）、砷化镓（GaAs）或磷化铟（InP），工作频段覆盖 3–300 GHz 。
应用场景
主要用于毫米波通信、雷达系统及电子对抗设备，因其高频输出能力（可达 300 GHz）和较高功率效率（约 10–15%）而成为关键微波源。

半导体器件经典教材
S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices（Wiley），第 7 章详述雪崩击穿与渡越时间效应。

微波工程手册
M. Golio, The RF and Microwave Handbook（CRC Press），第 3.4 节分析 IMPATT 振荡器设计。

关于“突崩振荡器”，根据现有搜索结果及相关电子学知识，可能存在以下两种可能性：

在提供的搜索结果中，未直接提及“突崩振荡器”这一术语，但存在类似的振荡器分类。推测可能存在以下情况：

术语混淆：可能是“弛张振荡器”（Relaxation Oscillator）的误译或拼写错误。提到振荡器分为谐波振荡器和弛张振荡器，后者通过电容充放电产生非正弦波形（如方波、锯齿波），其工作过程类似“突崩”式的能量释放。
特定领域术语：若为专业领域（如高频电路或半导体物理）中的术语，可能涉及“雪崩振荡器”（Avalanche Oscillator），利用雪崩击穿效应产生脉冲，但此类型未在搜索结果中体现。

若用户实际指“弛张振荡器”或“脉冲振荡器”，其特点如下：

若需进一步确认术语准确性，请提供更多上下文或英文原名（如“Burst Oscillator”或“Avalanche Oscillator”）。当前解释基于现有中文资料及相近技术原理推导。