體聲波器件英文解釋翻譯、體聲波器件的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 bulk acoustic wave device

分詞翻譯：

體的英語翻譯：

body; style; substance; system
【計】 body
【醫】 body; corpora; corps; corpus; leukocytic crystals; scapus; shaft; soma
Somato-

聲波的英語翻譯：

sound wave
【化】 sound wave
【醫】 sonic wave

器件的英語翻譯：

parts of an apparatus
【化】 device

專業解析

體聲波器件（Bulk Acoustic Wave Device, BAW）是一種基于聲波在固體介質中傳播特性設計的電子元件，主要用于射頻信號處理領域。其核心原理是通過壓電材料将電能轉換為機械振動（聲波），并在介質内部形成駐波，實現對特定頻率信號的選擇性過濾或延遲處理。

1. 基本結構與工作原理

體聲波器件的典型結構包含壓電薄膜（如氮化鋁或氧化鋅）和上下金屬電極。當交變電壓施加于電極時，壓電材料因逆壓電效應産生機械振動，形成垂直于基闆傳播的體聲波。諧振頻率由薄膜厚度和材料聲速決定，符合公式： $$ f = frac{v}{2d} $$ 其中$v$為聲速，$d$為薄膜厚度。

2. 主要技術類型

薄膜體聲波諧振器（FBAR）：采用懸浮薄膜結構提升Q值，適用于5G高頻濾波器
固體裝配型諧振器（SMR）：通過聲學反射層限制聲波能量，降低基闆損耗
橫向激發體波諧振器（XBAR）：支持更高頻段（毫米波），適合衛星通信系統

3. 典型應用領域

移動通信：5G基站濾波器（如Band 41頻段）
物聯網：微型化傳感器信號處理
汽車電子：77GHz雷達前端模塊
生物醫學：高精度質量檢測傳感器

4. 技術優勢對比

與傳統表面聲波（SAW）器件相比，體聲波器件具有更高功率容量（>30dBm）、更寬溫度穩定性（-40℃~125℃）和更陡峭的滾降特性（可達10dB/μs）。這些特性使其在Sub-6GHz和毫米波頻段的5G通信系統中占據核心地位。

參考文獻

IEEE Ultrasonics Symposium論文集（https://ieeexplore.ieee.org）
Qorvo技術白皮書（https://www.qorvo.com）
《聲波器件原理與應用》（科學出版社）
維基百科Bulk Acoustic Wave詞條（https://en.wikipedia.org）
《Journal of Microelectromechanical Systems》相關研究論文

網絡擴展解釋

體聲波器件（Bulk Acoustic Wave Device，簡稱BAW器件）是一種利用體聲波在固體材料中傳播特性實現信號處理的電子元件，主要應用于高頻通信領域。以下是詳細解釋：

1.基本定義

體聲波器件通過壓電材料的機電轉換特性，将電信號與聲波能量相互轉換。其核心是體聲波（Bulk Acoustic Wave），即聲波在材料内部而非表面傳播的現象。與表面聲波器件（SAW）不同，BAW器件的聲波能量集中在材料内部，減少了能量損耗。

2.工作原理

壓電效應：壓電材料（如氮化鋁、氧化鋅）在電場作用下産生機械振動，形成聲波傳播。
頻率控制：諧振頻率主要由壓電薄膜厚度決定，計算公式為：
$$ f_{res} = frac{n cdot v}{2d} $$
其中，( v ) 為聲速，( d ) 為壓電層厚度，( n ) 為奇數倍諧波。
機電耦合：電極層與壓電層共同作用，實現電信號與聲波能量的高效轉換。

3.主要應用

無線通信：5G射頻前端濾波器和雙工器，提升信號選擇性和抗幹擾能力。
消費電子：智能手機、無線耳機等設備中用于信號過濾和頻率穩定。
物聯網與衛星通信：高頻、低損耗特性適合遠距離高速數據傳輸。

4.技術優勢

高頻性能：支持GHz級别高頻信號處理，適應5G等先進通信标準。
低插入損耗：能量集中在材料内部，減少傳輸損耗。
小型化：結構緊湊，適合集成到微型芯片中。

5.制造工藝

采用薄膜沉積和微機電系統（MEMS）技術，例如在基底上逐層沉積電極和壓電材料，并通過刻蝕工藝形成功能結構層。

如需進一步了解具體型號或技術演進，可參考學術文獻或行業白皮書。