調制摻雜結構英文解釋翻譯、調制摻雜結構的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 modulation-doped structure

分詞翻譯：

調制的英語翻譯：

confect; modulate
【計】 delta modulation; MOD; modulation
【醫】 modulation

摻雜的英語翻譯：

*****erate; *****eration; intermingle
【計】 doping
【化】 *****eration; dope; doping
【醫】 *****eration

結構的英語翻譯：

frame; structure; composition; configuration; construction; fabric; mechanism
【計】 frame work
【醫】 constitution; formatio; formation; installation; structure; tcxture

專業解析

調制摻雜結構（Modulation-Doped Structure）是半導體器件領域的重要技術概念，指通過在異質結界面處選擇性摻雜不同半導體材料，實現載流子遷移率提升的工程化設計。其核心原理是将摻雜區域與載流子輸運區域分離，從而減少電離雜質散射對電子運動的影響。

該結構最早由貝爾實驗室團隊在1980年提出，典型應用為高電子遷移率晶體管（HEMT）。例如在AlGaAs/GaAs異質結中，施主雜質被限制在寬帶隙的AlGaAs層中，而電子通過能帶偏移效應轉移到未摻雜的GaAs層中形成二維電子氣（2DEG），使電子遷移率提高至傳統結構的10倍以上。

在技術參數上，調制摻雜需滿足以下條件：

異質結材料的晶格匹配度需高于99.9%
摻雜層厚度控制在2-10nm範圍
界面态密度低于$10^{11}, text{cm}^{-2}text{eV}^{-1}$

美國國家标準與技術研究院（NIST）的測試數據顯示，優化後的調制摻雜結構在4.2K溫度下可實現$2times10, text{cm}/(text{V}cdottext{s})$的電子遷移率。該技術已成為太赫茲器件和量子計算芯片的基礎架構。

（注：本文引用的學術成果可參考《半導體科學與技術》期刊論文DOI:10.1088/0268-1242/1/3/001，以及IEEE電子器件彙刊第32卷第3期相關研究）

網絡擴展解釋

“調制摻雜結構”是材料科學與電子工程領域的一個專業術語，結合了“調制”和“摻雜”兩個概念，具有以下核心含義：

1.基本定義

調制摻雜結構指通過特定方式設計材料的摻雜分布，以精确控制其電學或光學性能。這種結構通常涉及不同材料層的組合或特定摻雜區域的排列，例如在半導體中形成異質結或周期性摻雜區域。

2.技術原理

分層設計：如将二維材料堆疊成覆蓋層和溝道層，覆蓋層引入缺陷并與溝道層發生電荷轉移，從而在不破壞溝道層晶格的前提下調控其載流子濃度和遷移率。
周期性摻雜：通過交替摻雜不同類型（如P型和N型）的區域，形成交錯接觸面，利用微波信號調整結構特性，提升調制效率。

3.應用領域

電子器件：用于制造高性能晶體管，通過調制摻雜減少晶格散射，提高載流子遷移率。
光電器件：如矽基電光調制器，通過優化摻雜結構增強光信號調制能力，應用于光纖通信等領域。

4.與傳統摻雜的區别

傳統摻雜是單一材料中摻入雜質，而調制摻雜結構更強調空間分布的設計，例如異質結中的層間電荷轉移或周期性摻雜，以實現更高效、可控的性能優化。

以上内容綜合了材料科學和電子器件的相關研究，如需進一步了解具體技術細節，可參考原始資料。