调制掺杂结构英文解释翻译、调制掺杂结构的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 modulation-doped structure

分词翻译：

调制的英语翻译：

confect; modulate
【计】 delta modulation; MOD; modulation
【医】 modulation

掺杂的英语翻译：

*****erate; *****eration; intermingle
【计】 doping
【化】 *****eration; dope; doping
【医】 *****eration

结构的英语翻译：

frame; structure; composition; configuration; construction; fabric; mechanism
【计】 frame work
【医】 constitution; formatio; formation; installation; structure; tcxture

专业解析

调制掺杂结构（Modulation-Doped Structure）是半导体器件领域的重要技术概念，指通过在异质结界面处选择性掺杂不同半导体材料，实现载流子迁移率提升的工程化设计。其核心原理是将掺杂区域与载流子输运区域分离，从而减少电离杂质散射对电子运动的影响。

该结构最早由贝尔实验室团队在1980年提出，典型应用为高电子迁移率晶体管（HEMT）。例如在AlGaAs/GaAs异质结中，施主杂质被限制在宽带隙的AlGaAs层中，而电子通过能带偏移效应转移到未掺杂的GaAs层中形成二维电子气（2DEG），使电子迁移率提高至传统结构的10倍以上。

在技术参数上，调制掺杂需满足以下条件：

异质结材料的晶格匹配度需高于99.9%
掺杂层厚度控制在2-10nm范围
界面态密度低于$10^{11}, text{cm}^{-2}text{eV}^{-1}$

美国国家标准与技术研究院（NIST）的测试数据显示，优化后的调制掺杂结构在4.2K温度下可实现$2times10, text{cm}/(text{V}cdottext{s})$的电子迁移率。该技术已成为太赫兹器件和量子计算芯片的基础架构。

（注：本文引用的学术成果可参考《半导体科学与技术》期刊论文DOI:10.1088/0268-1242/1/3/001，以及IEEE电子器件汇刊第32卷第3期相关研究）

网络扩展解释

“调制掺杂结构”是材料科学与电子工程领域的一个专业术语，结合了“调制”和“掺杂”两个概念，具有以下核心含义：

1.基本定义

调制掺杂结构指通过特定方式设计材料的掺杂分布，以精确控制其电学或光学性能。这种结构通常涉及不同材料层的组合或特定掺杂区域的排列，例如在半导体中形成异质结或周期性掺杂区域。

2.技术原理

分层设计：如将二维材料堆叠成覆盖层和沟道层，覆盖层引入缺陷并与沟道层发生电荷转移，从而在不破坏沟道层晶格的前提下调控其载流子浓度和迁移率。
周期性掺杂：通过交替掺杂不同类型（如P型和N型）的区域，形成交错接触面，利用微波信号调整结构特性，提升调制效率。

3.应用领域

电子器件：用于制造高性能晶体管，通过调制掺杂减少晶格散射，提高载流子迁移率。
光电器件：如硅基电光调制器，通过优化掺杂结构增强光信号调制能力，应用于光纤通信等领域。

4.与传统掺杂的区别

传统掺杂是单一材料中掺入杂质，而调制掺杂结构更强调空间分布的设计，例如异质结中的层间电荷转移或周期性掺杂，以实现更高效、可控的性能优化。

以上内容综合了材料科学和电子器件的相关研究，如需进一步了解具体技术细节，可参考原始资料。