光电导的英文解释翻译、光电导的的近义词、反义词、例句

英语翻译：

photoconductive

分词翻译：

光电导的英语翻译：

photoconduction

专业解析

光电导（Photoconductivity）是固体物理学中的重要概念，指材料在受到光照时电导率显著增加的现象。这一术语由"photo-"（光）和"conductivity"（导电性）复合构成，其核心机制是光致载流子激发：当光子能量大于材料禁带宽度时，电子从价带跃迁至导带，形成自由电子与空穴对，从而增强导电能力。

根据《物理学大辞典》定义，光电导效应需满足两个基本条件：入射光波长需小于材料截止波长（λ_c=hc/E_g），且光强与电导率变化呈非线性关系。典型光电导材料包括硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）和非晶硅等，响应时间从微秒至毫秒量级不等。

剑桥大学出版社《材料科学手册》指出，该效应在工程应用中有三大实现形式：本征光电导（带间跃迁）、杂质光电导（能级跃迁）和量子点光电导（量子限域效应）。现代应用涵盖辐射探测器、光敏电阻、光电成像传感器等领域，其中碲镉汞（HgCdTe）光电导器件在红外探测中达到90%以上量子效率。

IEEE《电子器件汇刊》最新研究证实，二维材料如二硫化钼（MoS₂）表现出反常光电导效应，在特定波长光照下电导率可提升3个数量级，这为柔性光电子器件开发提供了新途径。实验数据显示其响应度达到2.3×10³ A/W，远超传统硅基器件性能。

网络扩展解释

光电导是指半导体材料在光照下电导率增加的现象，其核心机制是光激发导致载流子浓度变化。以下是详细解释：

基本定义
光电导效应最早由W.史密斯于1873年在硒材料中发现。当半导体受光照时，光子能量被吸收并激发载流子（电子或空穴），导致材料电导率显著提升。暗电导（无光照时的电导）与亮电导（有光照时的电导）之差即为光电导。
分类与机制
- 本征光电导：光子能量大于半导体禁带宽度（$E_g$）时，价带电子跃迁至导带，同时产生电子-空穴对，显著增加电导率。其长波限由公式 $lambda_0 = frac{hc}{E_g}$ 决定（$h$为普朗克常数，$c$为光速）。
- 杂质光电导：光子能量使束缚在杂质能级的电子跃迁至导带（或价带空穴跃迁至受主能级），仅增加单一类型载流子浓度，响应波长更长但效率较低。
物理过程与定态特性
光照下非平衡载流子产生率与复合率达到平衡时，电导率趋于稳定值（定态光电导）。此时附加电导率 $Delta sigma = q(mu_n Delta n + mu_p Delta p)$，其中$mu_n$、$mu_p$为电子和空穴迁移率，$Delta n$、$Delta p$为载流子浓度增量。
应用领域
光电导效应被广泛应用于光敏电阻、红外探测器及辐射测量设备，覆盖紫外至红外波段。例如硫化镉、硫化铅等材料制成的光电管可用于光强检测和自动控制。

总结来看，光电导是光与半导体相互作用的重要现象，其类型和响应特性取决于材料能带结构及光照条件。更多技术细节可参考半导体物理相关文献或百科资料。