光電導的英文解釋翻譯、光電導的的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

photoconductive

分詞翻譯：

光電導的英語翻譯：

photoconduction

專業解析

光電導（Photoconductivity）是固體物理學中的重要概念，指材料在受到光照時電導率顯著增加的現象。這一術語由"photo-"（光）和"conductivity"（導電性）複合構成，其核心機制是光緻載流子激發：當光子能量大于材料禁帶寬度時，電子從價帶躍遷至導帶，形成自由電子與空穴對，從而增強導電能力。

根據《物理學大辭典》定義，光電導效應需滿足兩個基本條件：入射光波長需小于材料截止波長（λ_c=hc/E_g），且光強與電導率變化呈非線性關系。典型光電導材料包括硫化镉（CdS）、硒化镉（CdSe）和非晶矽等，響應時間從微秒至毫秒量級不等。

劍橋大學出版社《材料科學手冊》指出，該效應在工程應用中有三大實現形式：本征光電導（帶間躍遷）、雜質光電導（能級躍遷）和量子點光電導（量子限域效應）。現代應用涵蓋輻射探測器、光敏電阻、光電成像傳感器等領域，其中碲镉汞（HgCdTe）光電導器件在紅外探測中達到90%以上量子效率。

IEEE《電子器件彙刊》最新研究證實，二維材料如二硫化钼（MoS₂）表現出反常光電導效應，在特定波長光照下電導率可提升3個數量級，這為柔性光電子器件開發提供了新途徑。實驗數據顯示其響應度達到2.3×10³ A/W，遠超傳統矽基器件性能。

網絡擴展解釋

光電導是指半導體材料在光照下電導率增加的現象，其核心機制是光激發導緻載流子濃度變化。以下是詳細解釋：

基本定義
光電導效應最早由W.史密斯于1873年在硒材料中發現。當半導體受光照時，光子能量被吸收并激發載流子（電子或空穴），導緻材料電導率顯著提升。暗電導（無光照時的電導）與亮電導（有光照時的電導）之差即為光電導。
分類與機制
- 本征光電導：光子能量大于半導體禁帶寬度（$E_g$）時，價帶電子躍遷至導帶，同時産生電子-空穴對，顯著增加電導率。其長波限由公式 $lambda_0 = frac{hc}{E_g}$ 決定（$h$為普朗克常數，$c$為光速）。
- 雜質光電導：光子能量使束縛在雜質能級的電子躍遷至導帶（或價帶空穴躍遷至受主能級），僅增加單一類型載流子濃度，響應波長更長但效率較低。
物理過程與定态特性
光照下非平衡載流子産生率與複合率達到平衡時，電導率趨于穩定值（定态光電導）。此時附加電導率 $Delta sigma = q(mu_n Delta n + mu_p Delta p)$，其中$mu_n$、$mu_p$為電子和空穴遷移率，$Delta n$、$Delta p$為載流子濃度增量。
應用領域
光電導效應被廣泛應用于光敏電阻、紅外探測器及輻射測量設備，覆蓋紫外至紅外波段。例如硫化镉、硫化鉛等材料制成的光電管可用于光強檢測和自動控制。

總結來看，光電導是光與半導體相互作用的重要現象，其類型和響應特性取決于材料能帶結構及光照條件。更多技術細節可參考半導體物理相關文獻或百科資料。