发射电流英文解释翻译、发射电流的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 emission current

分词翻译：

发射的英语翻译：

launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【医】 emission

电流的英语翻译：

electric current; electrical current; electricity
【计】 I
【化】 current; electric current; electric current (strength)
【医】 current; electric current; rheo-

专业解析

在电子工程与物理学领域，"发射电流"（英文：Emission Current）特指电子从材料表面逸出形成的电流。这一现象是真空电子器件（如电子管、阴极射线管）和现代场发射器件工作的物理基础。以下是其核心含义的详细解释：

一、基本定义

发射电流指在外加电场或热能激发下，材料（通常是金属或半导体）内部的自由电子克服表面势垒（功函数）束缚，从阴极表面发射到真空中形成的定向电流流。其强度直接决定了电子器件的阴极发射能力。

二、物理机制（以热电子发射为例）

根据理查德森-杜什曼方程（Richardson-Dushman equation），热电子发射电流密度 (J) 与材料温度 (T) 和功函数 (phi) 的关系为： $$ J = A T e^{-frac{phi}{kT}} $$ 其中：

(A) 为理查德森常数（理论值约 (120text{A/cm}text{K})）
(k) 为玻尔兹曼常数（(1.38 times 10^{-23}text{J/K})）
(phi) 为材料功函数（单位：电子伏特 eV）该公式量化了温度对电子逸出概率的指数级影响。

三、关键影响因素

材料功函数
功函数越低（如铯涂层 (phi approx 1.8text{eV})），电子越易逸出，发射电流越大。常见阴极材料包括钨（(phi = 4.5text{eV})）、钍钨合金（(phi = 2.6text{eV})）等。
温度效应
热阴极需加热至 1000–2500 K 以产生显著电流，例如真空管中直接通电加热灯丝实现电子发射。
电场增强
肖特基效应表明，强电场可降低表面势垒，提升发射效率。场发射阴极（如碳纳米管）即利用此原理在室温下工作。

四、典型应用场景

真空电子管：热阴极发射电流经栅极调制实现信号放大（如早期收音机）
显像管技术：阴极射线管（CRT）中电子束扫描荧光屏成像
场发射显示器：纳米材料尖端在电场下发射电子激发像素发光

权威参考来源

Spangenberg, K. R. Vacuum Tubes. McGraw-Hill, 1948. （热电子发射理论）
Langmuir, I. "The Effect of Space Charge and Residual Gases on Thermionic Currents in High Vacuum." Physical Review 2.4 (1913): 450–486. （空间电荷限制效应经典论文）

网络扩展解释

“发射电流”是电子学中与半导体器件相关的重要概念，具体解释如下：

一、基本定义

在双极型晶体管中，发射电流指载流子（电子或空穴）从发射区向基区注入形成的电流。这种电流是晶体管实现放大功能的基础。其本质属于电荷的定向流动，伴随热效应、磁场效应等物理现象。

二、物理特性

载流子运动：双极型晶体管工作时，发射电流涉及两种载流子（电子和空穴）的运动，而场效应管仅依赖单一载流子。
电流方向：在NPN型晶体管中，发射电流由发射极流出；PNP型则相反。
放大作用：发射电流通过基区时，部分载流子与基极电流复合，剩余部分形成集电极电流，从而实现电流放大。

三、应用场景

主要用于模拟电路中的信号放大，例如：

音频放大器
射频信号处理
电源稳压电路

四、相关公式

晶体管电流关系可表示为： $$ I_E = I_B + I_C $$ 其中，$I_E$为发射电流，$I_B$为基极电流，$I_C$为集电极电流。

注：更多技术细节可参考半导体器件相关文献（如来源的知网文献）。

发射电流英文解释翻译、发射电流的近义词、反义词、例句

英语翻译：

分词翻译：

发射的英语翻译：

电流的英语翻译：

专业解析

一、基本定义

二、物理机制（以热电子发射为例）

三、关键影响因素

四、典型应用场景

网络扩展解释

一、基本定义

二、物理特性

三、应用场景

四、相关公式

分类

别人正在浏览...