
【電】 emission current
launch; discharge; shoot; project; eradiate; let fly; transmit
【醫】 emission
electric current; electrical current; electricity
【計】 I
【化】 current; electric current; electric current (strength)
【醫】 current; electric current; rheo-
在電子工程與物理學領域,"發射電流"(英文:Emission Current)特指電子從材料表面逸出形成的電流。這一現象是真空電子器件(如電子管、陰極射線管)和現代場發射器件工作的物理基礎。以下是其核心含義的詳細解釋:
發射電流指在外加電場或熱能激發下,材料(通常是金屬或半導體)内部的自由電子克服表面勢壘(功函數)束縛,從陰極表面發射到真空中形成的定向電流流。其強度直接決定了電子器件的陰極發射能力。
根據理查德森-杜什曼方程(Richardson-Dushman equation),熱電子發射電流密度 (J) 與材料溫度 (T) 和功函數 (phi) 的關系為: $$ J = A T e^{-frac{phi}{kT}} $$ 其中:
材料功函數
功函數越低(如铯塗層 (phi approx 1.8text{eV})),電子越易逸出,發射電流越大。常見陰極材料包括鎢((phi = 4.5text{eV}))、钍鎢合金((phi = 2.6text{eV}))等。
溫度效應
熱陰極需加熱至 1000–2500 K 以産生顯著電流,例如真空管中直接通電加熱燈絲實現電子發射。
電場增強
肖特基效應表明,強電場可降低表面勢壘,提升發射效率。場發射陰極(如碳納米管)即利用此原理在室溫下工作。
權威參考來源
“發射電流”是電子學中與半導體器件相關的重要概念,具體解釋如下:
在雙極型晶體管中,發射電流指載流子(電子或空穴)從發射區向基區注入形成的電流。這種電流是晶體管實現放大功能的基礎。其本質屬于電荷的定向流動,伴隨熱效應、磁場效應等物理現象。
主要用于模拟電路中的信號放大,例如:
晶體管電流關系可表示為: $$ I_E = I_B + I_C $$ 其中,$I_E$為發射電流,$I_B$為基極電流,$I_C$為集電極電流。
注:更多技術細節可參考半導體器件相關文獻(如來源的知網文獻)。
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