电导调制英文解释翻译、电导调制的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 conductivity modulation

conductance
【化】 conductance; electric conductance
【医】 conductance

confect; modulate
【计】 delta modulation; MOD; modulation
【医】 modulation

电导调制（Conductivity Modulation）是半导体器件领域的重要物理现象，指通过载流子注入改变半导体材料电导率的过程。在功率器件（如IGBT、晶闸管）中，该效应通过向低掺杂区域注入少数载流子（电子或空穴），形成局部载流子浓度显著升高的现象。

核心机制包含两个层面：

载流子浓度倍增：当器件处于导通状态时，PN结正向偏置导致大量电子和空穴注入基区，形成电中性等离子体层。根据半导体物理公式： $$ sigma = q(nmu_n + pmu_p) $$ 其中σ为电导率，n/p为电子/空穴浓度，μ为迁移率。载流子浓度的指数级增长使电导率显著提升。
导通电阻降低：在绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，电导调制效应可使漂移区电阻降低10-100倍，直接减少通态损耗。这种特性使其在高压大电流场景（如新能源汽车逆变器）中具有关键应用价值。

该现象最早由电力电子先驱B. Jayant Baliga在1980年代系统阐述，其理论基础可参考《功率半导体器件基础》第4章（Springer, 2008）。国际电气与电子工程师协会（IEEE）在Transaction on Electron Devices期刊中持续更新相关研究进展。

电导调制效应是半导体器件（如双极型晶体管BJT）中的一种重要现象，主要与载流子注入和电导率变化相关。以下是综合多来源的解释：

电导调制效应（Webster效应）是指在大电流注入时，半导体基区的有效电导率显著增大的现象。其本质是大注入条件下，基区多子浓度增加导致电阻率降低。

基区电导率变化可近似表示为： $$ sigma = q (mu_n n + mu_p p) $$ 其中，大注入时 (n approx p gg N_D)（掺杂浓度），导致(sigma)显著提高。

提示：部分网页混淆了“电导调制”与“基区宽度调制”等概念，需注意区分。更多细节可参考《电力电子技术》等教材。