電導調制英文解釋翻譯、電導調制的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 conductivity modulation

conductance
【化】 conductance; electric conductance
【醫】 conductance

confect; modulate
【計】 delta modulation; MOD; modulation
【醫】 modulation

電導調制（Conductivity Modulation）是半導體器件領域的重要物理現象，指通過載流子注入改變半導體材料電導率的過程。在功率器件（如IGBT、晶閘管）中，該效應通過向低摻雜區域注入少數載流子（電子或空穴），形成局部載流子濃度顯著升高的現象。

核心機制包含兩個層面：

載流子濃度倍增：當器件處于導通狀态時，PN結正向偏置導緻大量電子和空穴注入基區，形成電中性等離子體層。根據半導體物理公式： $$ sigma = q(nmu_n + pmu_p) $$ 其中σ為電導率，n/p為電子/空穴濃度，μ為遷移率。載流子濃度的指數級增長使電導率顯著提升。
導通電阻降低：在絕緣栅雙極型晶體管（IGBT）中，電導調制效應可使漂移區電阻降低10-100倍，直接減少通态損耗。這種特性使其在高壓大電流場景（如新能源汽車逆變器）中具有關鍵應用價值。

該現象最早由電力電子先驅B. Jayant Baliga在1980年代系統闡述，其理論基礎可參考《功率半導體器件基礎》第4章（Springer, 2008）。國際電氣與電子工程師協會（IEEE）在Transaction on Electron Devices期刊中持續更新相關研究進展。

電導調制效應是半導體器件（如雙極型晶體管BJT）中的一種重要現象，主要與載流子注入和電導率變化相關。以下是綜合多來源的解釋：

電導調制效應（Webster效應）是指在大電流注入時，半導體基區的有效電導率顯著增大的現象。其本質是大注入條件下，基區多子濃度增加導緻電阻率降低。

基區電導率變化可近似表示為： $$ sigma = q (mu_n n + mu_p p) $$ 其中，大注入時 (n approx p gg N_D)（摻雜濃度），導緻(sigma)顯著提高。

提示：部分網頁混淆了“電導調制”與“基區寬度調制”等概念，需注意區分。更多細節可參考《電力電子技術》等教材。