电阻应变规英文解释翻译、电阻应变规的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 resistance strain gage

resistance
【计】 ohmic resistance; R
【化】 resistance
【医】 resistance

【化】 strain gauge

电阻应变规（Resistance Strain Gauge）是一种基于金属或半导体材料的传感器装置，通过测量材料受力变形时电阻值的变化来量化应变。其核心原理是材料的“应变-电阻效应”，即当导体或半导体发生机械形变时，其电阻率会因几何尺寸变化和压阻效应而发生改变。

结构与组成

典型电阻应变规由基底材料（如聚酰亚胺）、敏感栅（康铜或镍铬合金箔）、引出导线及保护层构成。敏感栅以特定栅格形状（如单轴或双轴布局）粘附于基底，通过光刻技术实现微米级精度。

技术参数

灵敏系数（Gauge Factor）：2.0-4.0（金属）或50-200（半导体），中国国家标准GB/T 13992-2010规定金属箔式应变计灵敏系数标称误差需≤±1%；
电阻值：常见120Ω、350Ω，符合国际电工委员会IEC 62047-8标准；
温度补偿：采用自补偿设计或桥路补偿法，参考《工程测量技术手册》（张宏伟主编，机械工业出版社2018版）第三章。

应用领域

广泛应用于土木工程结构健康监测（如桥梁应变分析）、航空航天材料强度测试，以及工业设备载荷标定。美国ASTM E251-2022标准明确规定了应变规在材料力学性能测试中的校准流程。

电阻应变规（又称电阻应变计或应变片）是一种基于电阻应变效应的传感器，用于测量物体受力后的微小形变。其核心原理是材料在机械变形时电阻值发生变化，通过测量电阻变化间接获得应变数据。以下是详细解释：

电阻应变效应：导体或半导体材料在受到外力作用时，其电阻值会随机械变形（拉伸或压缩）而变化。金属材料主要表现为几何形变引起的电阻变化（），而半导体材料则因压阻效应（电阻率变化）更显著（）。
压阻效应：特指半导体材料在外力下电阻率变化的物理现象，与微观结构（如晶格变形、电子迁移）直接相关（）。

如需更完整的分类或技术参数，可参考材料力学或传感器技术相关文献。