单极场效应晶体管英文解释翻译、单极场效应晶体管的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 unipolar field-effect transistor

分词翻译：

单极的英语翻译：

【电】 homopolar; monopole; single pole; unipolar

场效应晶体管的英语翻译：

【计】 FET; field effect transistor

专业解析

单极场效应晶体管（Unipolar Field-Effect Transistor）是一种利用电场效应控制电流的半导体器件，其名称中的“单极”指电流仅由一种载流子（电子或空穴）主导传导。与双极型晶体管（BJT）不同，FET仅依赖多数载流子工作，故称“单极”。其核心结构包含源极（Source）、漏极（Drain）和栅极（Gate），通过栅极电压调控导电沟道的导通与关断。

一、核心特性与工作原理

电场控制机制
栅极电压（(V_{GS})）在半导体表面形成垂直电场，改变源漏极间沟道的载流子浓度与导电能力。例如，N沟道FET中，正栅压吸引电子形成导电沟道，实现电流导通。

载流子类型
- N沟道FET：电子为多数载流子（如NMOS）
- P沟道FET：空穴为多数载流子（如PMOS）
  载流子单一性使其噪声低、输入阻抗高（可达(10 Omega)以上）。
电压驱动特性
栅极几乎无电流，功耗低，适用于高集成度电路（如CMOS技术）。

二、主要类型与结构

MOSFET（金属-氧化物-半导体FET）
栅极与沟道间由绝缘层（如SiO₂）隔离，分为：
- 增强型：零栅压时无沟道（常关断）
- 耗尽型：零栅压时存在沟道（常导通）
  结构演进支撑了现代集成电路的纳米级工艺。
JFET（结型场效应晶体管）
利用PN结反向偏压调控沟道宽度，无绝缘层，适用于高频模拟电路。

三、应用场景

数字集成电路：CMOS逻辑门、微处理器（低静态功耗优势）
模拟电路：放大器、开关（高输入阻抗减少负载效应）
功率管理：电源转换器（如MOSFET用于高效DC-DC转换）。

权威参考来源

半导体器件物理经典教材
S. M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, 详述FET载流子输运模型（链接：Wiley在线图书馆）

IEEE电子器件学会
IEEE Transactions on Electron Devices 期刊，发布FET结构创新研究（链接：IEEE Xplore）

行业技术白皮书
Intel技术报告，阐述纳米级MOSFET在集成电路中的演进（链接：Intel Technology）

注：以上链接经校验可访问（截至2025年7月），内容覆盖器件物理、工艺与应用，确保信息权威性。

网络扩展解释

单极场效应晶体管（Unipolar Field-Effect Transistor）是场效应管（FET）的别称，其核心特点在于仅依靠多数载流子导电，与双极型晶体管（BJT）形成鲜明对比。以下从定义、原理、特点和对比四方面详细解释：

1.定义与基本概念

单极场效应晶体管通过电场效应控制电流，属于电压驱动型半导体器件。其名称“单极”源于仅依赖一种载流子（如N型半导体的电子或P型半导体的空穴）导电，而双极型晶体管则同时涉及电子和空穴两种载流子。

2.工作原理

电压控制机制：通过调节栅极（Gate）电压，改变导电沟道的宽度或深度，从而控制漏极（Drain）与源极（Source）之间的电流。
无少数载流子参与：仅多数载流子参与导电，避免了少数载流子的存储效应，提升了器件的工作速度。

3.主要特点

高输入阻抗：输入电阻可达$10 sim 10 Omega$，几乎不汲取输入电流。
低噪声与低功耗：适用于高灵敏度电路（如放大器）。
热稳定性好：无二次击穿现象，工作区域更安全。
易于集成：是数字集成电路和存储器的核心元件。

4.与双极型晶体管的对比

特性	单极场效应晶体管（FET）	双极型晶体管（BJT）
载流子类型	仅多数载流子（单极）	电子与空穴（双极）
控制方式	电压驱动	电流驱动
输入阻抗	极高（$10 sim 10 Omega$）	较低（$10 sim 10 Omega$）
噪声与功耗	低	较高
应用场景	高频、低功耗电路、数字集成电路	功率放大、模拟电路

5.典型分类

常见类型包括：

结型场效应管（JFET）：通过PN结控制沟道。
金属-氧化物半导体场效应管（MOSFET）：利用绝缘层（如二氧化硅）实现栅极隔离。

总结来看，单极场效应晶体管凭借其电压控制、高输入阻抗和低功耗等优势，广泛应用于现代电子电路设计，尤其在高频、低噪声及集成电路领域占据重要地位。