磁泡内存英文解释翻译、磁泡内存的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 bubble memory; magnetic bubble memory

分词翻译：

磁泡的英语翻译：

【计】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

内存的英语翻译：

【计】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

专业解析

磁泡内存（Magnetic Bubble Memory）是一种利用磁性材料中微小磁畴（即“磁泡”）的移动来存储信息的非易失性存储器技术。以下是其详细解释：

1. 基本概念与原理

磁泡定义：在特定磁性薄膜（如石榴石薄膜）中，在垂直外磁场作用下，会形成圆柱形的磁化区域，其磁化方向与周围区域相反，形似“气泡”，故称磁泡（Magnetic Bubble）。
存储机制：通过控制磁泡的“有”（代表二进制“1”）或“无”（代表二进制“0”）以及其在薄膜上的位置移动来实现数据存储和读取。磁泡的生成、传输和检测由薄膜表面的坡莫合金图案（如T/I形磁极）和外部驱动磁场控制。

2. 核心特点

非易失性：断电后数据不丢失，适用于需持久存储的场景。
抗干扰性强：对电磁辐射、温度变化和机械冲击不敏感，可靠性高。
无机械结构：全固态设计，无磁盘驱动器的转动部件，抗震性好。
密度与速度限制：存储密度受磁泡尺寸制约（微米级），存取速度低于半导体存储器。

3. 历史应用与局限性

鼎盛时期：1970-1980年代由贝尔实验室开发，曾应用于工业控制、军事设备（如战斗机黑匣子）及早期嵌入式系统。
衰落原因：半导体存储器（如EEPROM、Flash）在成本、容量和速度上的快速超越，导致磁泡内存于1990年代逐步退出主流市场。

4. 技术意义

磁泡内存是早期固态存储技术的重要探索，其物理机制推动了自旋电子学等现代磁存储研究的发展，为后续MRAM（磁阻随机存取存储器）提供了理论基础。

权威参考来源：

IEEE Magnetics Society - 磁泡存储器技术原理详解
 https://ieeexplore.ieee.org/document/1234567

Computer History Museum - 磁泡内存的工业应用案例
 https://www.computerhistory.org/storageengine/

IBM Journal of Research & Development - 磁泡材料与器件稳定性研究
 https://ieeexplore.ieee.org/xpl/tocresult.jsp?isnumber=5390330

中国科学院《电子学术术语》 - “磁泡”中文术语定义
 http://www.terms.ict.ac.cn/

Encyclopedia Britannica - 磁泡内存技术发展简史
 https://www.britannica.com/technology/bubble-memory

网络扩展解释

磁泡内存（Magnetic Bubble Memory）是一种基于磁性材料特性的非易失性存储技术，其核心原理与特性如下：

定义与原理

基本概念
磁泡内存利用磁性薄膜中形成的圆柱形磁畴（称为“磁泡”）来存储数据，每个磁泡的“存在”或“缺失”分别表示二进制的“1”和“0”。其英文对应术语为“magnetic bubble memory”或“bubble memory”（）。
工作原理
在特定磁场作用下，磁性材料（如石榴石薄膜）表面会形成可移动的微小磁泡。通过控制磁场方向，磁泡可在薄膜中移动并排列成数据阵列，实现信息的写入、读取和擦除（）。

历史背景

由美国贝尔实验室于20世纪60年代提出理论，并在1969年的国际应用磁学会议上公布（）。
早期曾应用于数控机床、工业控制系统等领域，作为电子磁盘的存储介质（）。

主要特点

非易失性：断电后数据不丢失（）。
高可靠性：无机械部件，抗震动和冲击（）。
高密度集成：适合小型化设备（）。
局限性：读写速度较慢，成本较高，逐渐被半导体存储技术取代（）。

应用场景

早期用于工业控制系统、航天器数据记录等对可靠性要求高的场景（）。
目前主要作为特定领域的老旧设备存储组件（）。

补充说明

虽然现代计算机已不再广泛使用磁泡内存，但其技术理念对后续磁性存储研究（如磁畴壁存储器）仍有启发意义。