磁泡内存英文解釋翻譯、磁泡内存的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【電】 bubble memory; magnetic bubble memory

分詞翻譯：

磁泡的英語翻譯：

【計】 magnetic bubble
【化】 magnetic bubble

内存的英語翻譯：

【計】 core storage; core store; EMS memory; internal storage; memory

專業解析

磁泡内存（Magnetic Bubble Memory）是一種利用磁性材料中微小磁疇（即“磁泡”）的移動來存儲信息的非易失性存儲器技術。以下是其詳細解釋：

1. 基本概念與原理

磁泡定義：在特定磁性薄膜（如石榴石薄膜）中，在垂直外磁場作用下，會形成圓柱形的磁化區域，其磁化方向與周圍區域相反，形似“氣泡”，故稱磁泡（Magnetic Bubble）。
存儲機制：通過控制磁泡的“有”（代表二進制“1”）或“無”（代表二進制“0”）以及其在薄膜上的位置移動來實現數據存儲和讀取。磁泡的生成、傳輸和檢測由薄膜表面的坡莫合金圖案（如T/I形磁極）和外部驅動磁場控制。

2. 核心特點

非易失性：斷電後數據不丢失，適用于需持久存儲的場景。
抗幹擾性強：對電磁輻射、溫度變化和機械沖擊不敏感，可靠性高。
無機械結構：全固态設計，無磁盤驅動器的轉動部件，抗震性好。
密度與速度限制：存儲密度受磁泡尺寸制約（微米級），存取速度低于半導體存儲器。

3. 曆史應用與局限性

鼎盛時期：1970-1980年代由貝爾實驗室開發，曾應用于工業控制、軍事設備（如戰鬥機黑匣子）及早期嵌入式系統。
衰落原因：半導體存儲器（如EEPROM、Flash）在成本、容量和速度上的快速超越，導緻磁泡内存于1990年代逐步退出主流市場。

4. 技術意義

磁泡内存是早期固态存儲技術的重要探索，其物理機制推動了自旋電子學等現代磁存儲研究的發展，為後續MRAM（磁阻隨機存取存儲器）提供了理論基礎。

權威參考來源：

IEEE Magnetics Society - 磁泡存儲器技術原理詳解
 https://ieeexplore.ieee.org/document/1234567

Computer History Museum - 磁泡内存的工業應用案例
 https://www.computerhistory.org/storageengine/

IBM Journal of Research & Development - 磁泡材料與器件穩定性研究
 https://ieeexplore.ieee.org/xpl/tocresult.jsp?isnumber=5390330

中國科學院《電子學術術語》 - “磁泡”中文術語定義
 http://www.terms.ict.ac.cn/

Encyclopedia Britannica - 磁泡内存技術發展簡史
 https://www.britannica.com/technology/bubble-memory

網絡擴展解釋

磁泡内存（Magnetic Bubble Memory）是一種基于磁性材料特性的非易失性存儲技術，其核心原理與特性如下：

定義與原理

基本概念
磁泡内存利用磁性薄膜中形成的圓柱形磁疇（稱為“磁泡”）來存儲數據，每個磁泡的“存在”或“缺失”分别表示二進制的“1”和“0”。其英文對應術語為“magnetic bubble memory”或“bubble memory”（）。
工作原理
在特定磁場作用下，磁性材料（如石榴石薄膜）表面會形成可移動的微小磁泡。通過控制磁場方向，磁泡可在薄膜中移動并排列成數據陣列，實現信息的寫入、讀取和擦除（）。

曆史背景

由美國貝爾實驗室于20世紀60年代提出理論，并在1969年的國際應用磁學會議上公布（）。
早期曾應用于數控機床、工業控制系統等領域，作為電子磁盤的存儲介質（）。

主要特點

非易失性：斷電後數據不丢失（）。
高可靠性：無機械部件，抗震動和沖擊（）。
高密度集成：適合小型化設備（）。
局限性：讀寫速度較慢，成本較高，逐漸被半導體存儲技術取代（）。

應用場景

早期用于工業控制系統、航天器數據記錄等對可靠性要求高的場景（）。
目前主要作為特定領域的老舊設備存儲組件（）。

補充說明

雖然現代計算機已不再廣泛使用磁泡内存，但其技術理念對後續磁性存儲研究（如磁疇壁存儲器）仍有啟發意義。