
【电】 lithium-drifted germanium crystal
lithium
【化】 lithii
【医】 Li; lithium
【医】 drifting
crystal; crystalloid
【化】 crystal
【医】 Crys.; crystal
锂漂移晶体(Lithium-Drifted Crystal)是核辐射探测领域的关键半导体材料,其英文全称为"lithium-compensated semiconductor crystal"。该材料通过锂离子在晶体结构中的可控漂移过程,形成具有特殊电学特性的本征半导体,主要应用于高分辨率X射线和γ射线能谱测量系统。
从材料结构分析,锂漂移晶体通常以高纯度锗(HPGe)或硅(Si)为基体,通过锂扩散工艺补偿晶体中的杂质缺陷。美国国家标准与技术研究院(NIST)的实验报告显示,该工艺可使晶体电阻率提升至10-10 Ω·cm范围,显著改善载流子迁移率。
在辐射探测应用中,锂漂移型高纯锗探测器(Ge(Li))的能量分辨率可达0.2%-0.5%,这一性能参数已被收录于《核仪器与方法》期刊的行业标准。其工作原理基于电离效应:当高能射线穿透晶体时,产生的电子-空穴对在外加偏压作用下形成可测电流脉冲。
国际原子能机构(IAEA)的技术手册指出,锂漂移工艺需要严格控制温度梯度(通常维持在30-50℃)和电场强度(200-500 V/cm),以确保锂离子的均匀分布。这种精密制造技术使探测器可在液氮温度下维持稳定工作状态超过10000小时。
“锂漂移晶体”是一个专业术语,其核心含义和相关信息可总结如下:
锂漂移晶体(lithium-drifted germanium crystal) 是一种特殊处理的半导体材料,通过将锂离子漂移(掺杂)到锗(germanium)晶体中制成。这种工艺可调节晶体的电学性质,常用于高精度辐射探测器领域。
锂的作用
锂(lithium)是一种金属元素(符号Li),具有高反应性和低密度特性。在漂移工艺中,锂离子被引入锗晶体,用于中和杂质缺陷,改善半导体性能。
漂移工艺
通过电场驱动锂离子在锗晶体中扩散(漂移),形成均匀的掺杂层,从而优化晶体的电阻率和载流子寿命。
主要用于制造高纯锗探测器(HPGe探测器),应用于:
如需进一步了解制备细节或技术参数,可参考电学工程或半导体物理领域的专业文献。
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