临界栅极电压英文解释翻译、临界栅极电压的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 critical grid voltage

分词翻译：

临界的英语翻译：

critical
【医】 crisis

栅极的英语翻译：

grid
【化】 grid

电压的英语翻译：

tension; voltage
【化】 voltage
【医】 electric tension; voltage

专业解析

临界栅极电压（Threshold Voltage, Vth）是半导体器件领域的关键参数，定义为金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中形成导电沟道所需的最小栅极电压值。该参数直接影响器件的开关特性与能效表现。

技术特性与定义依据

1. 物理意义：当栅极电压达到Vth时，半导体表面反型层形成，源漏极之间建立电流通道（参考：施敏《半导体器件物理》第三版）
2. 测量基准：国际电气与电子工程师协会（IEEE）标准1785-2022规定，以漏极电流达到特定基准值（通常1μA/μm）时的栅压为判定标准
3. 温度依赖性：具有-2mV/℃的温度系数，源于载流子迁移率与费米势的变化（数据来源：IEEE Electron Device Letters 2023年刊）

工程影响因素：

• 栅氧层厚度（Tox）与介电常数：根据公式

  $$

  V{th} = phi{ms} + 2phi_F + frac{sqrt{4epsilon_s q N_A phiF}}{C{ox}}

  $$

  其中Cox=εox/Tox，直接影响阈值电压值（推导见《固态电子器件》第7章）

• 沟道掺杂浓度：浓度提升将导致Vth正向偏移（参考：Applied Physics Letters 114卷）

行业应用标准：

国际半导体技术路线图（ITRS）建议，先进制程节点中Vth波动需控制在±20mV以内，以确保电路可靠性（ITRS 2025版制造规范）。功率器件领域，Vth通常设计在2-4V区间以平衡开关损耗与抗干扰能力。

网络扩展解释

临界栅极电压是场效应晶体管（FET）中的核心参数，通常称为阈值电压（缩写为V_GS(th)），其定义和特性如下：

定义

临界栅极电压指场效应管中栅极与源极之间形成导电路径所需的最小电压差。当栅源电压（V_GS）达到或超过此阈值时，场效应管从截止状态转为导通状态。

关键特性

1. 导通控制
   当栅极电压高于临界值时，场效应管导通；低于该值则截止，从而实现电流的开关控制。

2. 电路设计基础
   该参数直接影响集成电路的功耗和性能，例如FPGA芯片需在临界电压以上才能稳定工作。

3. 影响因素
   阈值电压与材料特性、制造工艺相关，不同器件（如MOSFET、JFET）的临界值差异显著。

应用领域

• 电子开关：通过调节栅极电压控制电路通断。
• 信号放大：在模拟电路中作为放大器的偏置电压。
• 低功耗设计：优化阈值电压可降低芯片静态功耗。

补充说明

在电池或电泳等非半导体场景中，“临界电压”可能指其他阈值（如电泳沉积的最小电压），需结合具体领域区分。

分类

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏览...

氨基蝶酰谷氨酸抱歉代表元担保基金当量点德廉氏试验等平面的等势性得自狄利克雷抽屉原理分道扬镳给质子溶质谷粒海派民讲和经典的颈鼓支壳模罗郎多氏裂锰的膨胀旋管平均计价法起始剂人道主义活动任何凝胶栅折回守岁涂鸦网膜扭转