集极电流英文解释翻译、集极电流的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 collector current

分词翻译：

集极的英语翻译：

【电】 collector

电流的英语翻译：

electric current; electrical current; electricity
【计】 I
【化】 current; electric current; electric current (strength)
【医】 current; electric current; rheo-

专业解析

在电子工程领域，"集极电流"（Collector Current）指双极结型晶体管（BJT）中流经集电极的电流，通常用符号 (I_C) 表示。其核心含义与物理机制如下：

一、定义与物理机制

集极电流是BJT工作在放大区时，由发射极注入的多数载流子（NPN管为电子，PNP管为空穴）穿越基区到达集电结所形成的电流。该电流受基极-发射极电压 (V_{BE}) 控制，满足以下关系： $$ I_C = IS left( e^{frac{V{BE}}{V_T}} - 1 right) $$ 其中 (I_S) 为反向饱和电流，(V_T) 为热电压（约26mV@300K）。在放大模式下，(I_C) 近似等于发射极电流 (I_E) 减去基极电流 (I_B)，即： $$ I_C = beta I_B $$ (beta) 为电流放大系数（典型值20-200）。

二、特性与影响因素

温度依赖性
(I_S) 随温度升高呈指数增长，导致 (I_C) 显著增加（约每升高1°C增加7-10%）。

基区调制效应
集电结电压 (V_{CE}) 变化时，基区有效宽度受电场影响，引起 (I_C) 轻微波动（厄利效应）。

饱和与截止状态
当 (V{CE} < V{BE}) 时，集电结正偏，(I_C) 受外电路限制；截止状态下 (I_C approx 0)。

三、工程意义

集极电流直接决定BJT的功率耗散（(P_C = IC cdot V{CE})）和开关速度。在放大电路中，(I_C) 的微小变化通过负载电阻转换为输出电压变化，实现信号放大。其稳定性设计需考虑温度补偿（如使用电阻网络或镜像电流源）。

权威参考来源（因链接生成限制，请通过以下文献名称检索原文）：

IEEE Xplore: "Bipolar Junction Transistor Fundamentals" (标准定义)

《半导体物理与器件》(Neamen著)：第10章（温度特性分析）

《微电子电路》(Sedra/Smith著)：§6.4（厄利效应模型）

《电子技术基础》(康华光著)：第3章（放大原理)

网络扩展解释

集电极电流（Collector Current）是晶体管或三极管中流经集电极的电流，通常用符号 ( I_C ) 表示。以下是详细解释：

1.基本定义

集电极电流是晶体管工作时，从集电极流向发射极（NPN型）或发射极流向集电极（PNP型）的电流。它是晶体管放大作用的核心参数，直接影响器件的输出特性。

2.控制关系

放大状态：在放大区，集电极电流 ( I_C ) 受基极电流 ( I_B ) 控制，满足关系式： $$ I_C = beta I_B $$ 其中 (beta) 为电流放大倍数。
饱和状态：当晶体管饱和时，( I_C ) 接近发射极电流 ( I_E )，此时 ( I_C approx I_E )，基极电流 ( I_B ) 较大。

3.工作状态影响

放大区：( I_C ) 由 ( I_B ) 和 (beta) 决定，用于信号放大。
饱和区：( I_C ) 受外部电路（如集电极电阻、电源电压）限制，表现为导通状态。

4.应用场景

IGBT模块：集电极电流参数（如最大连续电流 ( I{C,non} ) 和峰值电流 ( I{CRM} )）用于评估器件承载能力。
逻辑电路：在非饱和区工作时，集电极电流影响开关速度和功耗。

5.补充说明

极限电流：当电极反应速率达到极限时，电流趋于稳定，类似概念可见于电化学分析，但与晶体管中的集电极电流物理意义不同。

若需具体器件参数（如IGBT的 ( I_C ) 范围）或电路设计中的计算示例，可进一步结合应用场景探讨。