
【计】 complementary MOS integrated circuit; complementary MOS logic circuit
【电】 complement; complementary
aurum; gold; golden; metals; money
【化】 gold
【医】 Au; auri-; auro-; aurum; chryso-; gold
oxygen
【医】 o; O2; oxy-; oxygen; oxygenium; phlogisticated gas
semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor
【化】 logic circuit
互补金氧半导体逻辑电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Logic Circuit,简称CMOS)是一种基于互补对称结构的金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)技术。其核心原理是通过成对的N沟道MOS(NMOS)和P沟道MOS(PMOS)晶体管组合,实现逻辑功能的同时显著降低静态功耗。以下是关键解析:
互补结构
CMOS电路中的NMOS和PMOS晶体管以互补方式连接。例如,在反相器中,NMOS管作为下拉开关,PMOS管作为上拉开关。两者交替导通,确保任一时刻仅一条通路工作,从而在稳态下几乎无电流流过,实现低功耗特性。
逻辑实现机制
每个逻辑门(如与非门、或非门)均由NMOS和PMOS网络共同构成。NMOS网络负责逻辑“0”输出,PMOS网络负责逻辑“1”输出。这种设计使电路具备高噪声容限(通常达电源电压的30%-40%)和宽电压工作范围。
性能优势
典型应用
CMOS技术广泛应用于微处理器、存储器(如SRAM、DRAM)、传感器接口电路及物联网设备。现代7nm以下制程通过FinFET或GAA(全环绕栅极)结构进一步优化其性能。
权威参考文献:
互补金氧半导体逻辑电路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,简称CMOS)是一种基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的集成电路技术,主要用于构建低功耗、高集成度的数字逻辑电路。以下是其核心要点:
CMOS反相器的电压传输特性可通过以下关系描述: $$ V{text{out}} = begin{cases} 0 & text{当 } V{text{in}} = V{DD} V{DD} & text{当 } V_{text{in}} = 0 end{cases} $$
总结来看,CMOS技术凭借其低功耗和高可靠性,成为现代数字电路的主流选择,但其进一步发展需克服物理极限和工艺挑战。
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