
【計】 complementary MOS integrated circuit; complementary MOS logic circuit
【電】 complement; complementary
aurum; gold; golden; metals; money
【化】 gold
【醫】 Au; auri-; auro-; aurum; chryso-; gold
oxygen
【醫】 o; O2; oxy-; oxygen; oxygenium; phlogisticated gas
semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor
【化】 logic circuit
互補金氧半導體邏輯電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Logic Circuit,簡稱CMOS)是一種基于互補對稱結構的金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)技術。其核心原理是通過成對的N溝道MOS(NMOS)和P溝道MOS(PMOS)晶體管組合,實現邏輯功能的同時顯著降低靜态功耗。以下是關鍵解析:
互補結構
CMOS電路中的NMOS和PMOS晶體管以互補方式連接。例如,在反相器中,NMOS管作為下拉開關,PMOS管作為上拉開關。兩者交替導通,确保任一時刻僅一條通路工作,從而在穩态下幾乎無電流流過,實現低功耗特性。
邏輯實現機制
每個邏輯門(如與非門、或非門)均由NMOS和PMOS網絡共同構成。NMOS網絡負責邏輯“0”輸出,PMOS網絡負責邏輯“1”輸出。這種設計使電路具備高噪聲容限(通常達電源電壓的30%-40%)和寬電壓工作範圍。
性能優勢
典型應用
CMOS技術廣泛應用于微處理器、存儲器(如SRAM、DRAM)、傳感器接口電路及物聯網設備。現代7nm以下制程通過FinFET或GAA(全環繞栅極)結構進一步優化其性能。
權威參考文獻:
互補金氧半導體邏輯電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,簡稱CMOS)是一種基于金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)的集成電路技術,主要用于構建低功耗、高集成度的數字邏輯電路。以下是其核心要點:
CMOS反相器的電壓傳輸特性可通過以下關系描述: $$ V{text{out}} = begin{cases} 0 & text{當 } V{text{in}} = V{DD} V{DD} & text{當 } V_{text{in}} = 0 end{cases} $$
總結來看,CMOS技術憑借其低功耗和高可靠性,成為現代數字電路的主流選擇,但其進一步發展需克服物理極限和工藝挑戰。
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