月沙工具箱
現在位置:月沙工具箱 > 學習工具 > 漢英詞典

互補金氧半導體邏輯電路英文解釋翻譯、互補金氧半導體邏輯電路的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯:

【計】 complementary MOS integrated circuit; complementary MOS logic circuit

分詞翻譯:

互補的英語翻譯:

【電】 complement; complementary

金的英語翻譯:

aurum; gold; golden; metals; money
【化】 gold
【醫】 Au; auri-; auro-; aurum; chryso-; gold

氧的英語翻譯:

oxygen
【醫】 o; O2; oxy-; oxygen; oxygenium; phlogisticated gas

半導體的英語翻譯:

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

邏輯電路的英語翻譯:

【化】 logic circuit

專業解析

互補金氧半導體邏輯電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Logic Circuit,簡稱CMOS)是一種基于互補對稱結構的金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)技術。其核心原理是通過成對的N溝道MOS(NMOS)和P溝道MOS(PMOS)晶體管組合,實現邏輯功能的同時顯著降低靜态功耗。以下是關鍵解析:

  1. 互補結構

    CMOS電路中的NMOS和PMOS晶體管以互補方式連接。例如,在反相器中,NMOS管作為下拉開關,PMOS管作為上拉開關。兩者交替導通,确保任一時刻僅一條通路工作,從而在穩态下幾乎無電流流過,實現低功耗特性。

  2. 邏輯實現機制

    每個邏輯門(如與非門、或非門)均由NMOS和PMOS網絡共同構成。NMOS網絡負責邏輯“0”輸出,PMOS網絡負責邏輯“1”輸出。這種設計使電路具備高噪聲容限(通常達電源電壓的30%-40%)和寬電壓工作範圍。

  3. 性能優勢

    • 功耗極低:靜态功耗僅來源于漏電流,動态功耗與開關頻率和負載電容相關(公式:$P_{dyn}=CL V{DD} f$)。
    • 集成密度高:MOSFET器件尺寸可微縮至納米級,支持大規模集成電路設計。
    • 抗幹擾性強:邏輯電平差較大,對電磁噪聲不敏感。
  4. 典型應用

    CMOS技術廣泛應用于微處理器、存儲器(如SRAM、DRAM)、傳感器接口電路及物聯網設備。現代7nm以下制程通過FinFET或GAA(全環繞栅極)結構進一步優化其性能。

權威參考文獻:

網絡擴展解釋

互補金氧半導體邏輯電路(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor,簡稱CMOS)是一種基于金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)的集成電路技術,主要用于構建低功耗、高集成度的數字邏輯電路。以下是其核心要點:

1.基本結構

2.核心優勢

3.工作原理

4.應用領域

5.技術挑戰

示例公式

CMOS反相器的電壓傳輸特性可通過以下關系描述: $$ V{text{out}} = begin{cases} 0 & text{當 } V{text{in}} = V{DD} V{DD} & text{當 } V_{text{in}} = 0 end{cases} $$

總結來看,CMOS技術憑借其低功耗和高可靠性,成為現代數字電路的主流選擇,但其進一步發展需克服物理極限和工藝挑戰。

分類

ABCDEFGHIJKLMNOPQRSTUVWXYZ

别人正在浏覽...

【别人正在浏覽】