可变电容二极体的简写英文解释翻译、可变电容二极体的简写的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【电】 vcd

分词翻译：

可的英语翻译：

approve; but; can; may; need; yet

变的英语翻译：

become; change
【医】 meta-; pecilo-; poecil-; poikilo-

电容的英语翻译：

capacitance; electric capacity
【计】 C
【化】 capacitance; capacity; electric capacity
【医】 capacitance; electric capacity

二的英语翻译：

twin; two
【计】 binary-coded decimal; binary-coded decimal character code
binary-to-decimal conversion; binary-to-hexadecimal conversion
【医】 bi-; bis-; di-; duo-

极体的英语翻译：

【医】 corpora polare; polar bo***s; polar cells; polar globules; polocyte

简写的英语翻译：

logogram; simplified a book

专业解析

可变电容二极体（Variable Capacitance Diode），其标准简写为变容二极管（中文）或Varactor Diode（英文），在电路图中也常简写为VD或直接用二极管符号旁标注Varactor。

从汉英词典及电子工程专业角度解释其详细含义如下：

核心定义：
- 可变电容：指该器件的电容值不是固定的，而是可以通过外部施加的电压进行调节。
- 二极体：表明其基本结构是一个PN结半导体器件，具有单向导电性。
- 结合含义：变容二极管是一种特殊的半导体二极管，其PN结的耗尽层电容（结电容）会随着施加在其两端的反向偏置电压的大小变化而发生显著且可控的变化。它本质上是利用二极管的反偏压来控制其电容量的电子元件。
工作原理：
- 当变容二极管施加反向偏压时，耗尽层宽度会随反向电压的增加而变宽。
- 耗尽层相当于两个导电区域（P型和N型半导体）之间的绝缘介质。根据平行板电容器原理（C = εA / d），电容（C）与两极板间距离（d）成反比。
- 因此，反向电压增大 → 耗尽层变宽（d增大） → 结电容（C）减小。反之，反向电压减小 → 耗尽层变窄（d减小） → 结电容（C）增大。
关键特性与参数：
- 电容-电压特性（C-V曲线）：这是变容二极管最重要的特性，描述了电容值随反向电压变化的规律，通常是非线性的。
- 电容变化比（Tuning Ratio）：指在指定的电压变化范围内，最大电容值与最小电容值的比值（Cmax/Cmin）。比值越大，调谐范围越宽。
- 品质因数（Q值）：反映器件能量损耗的指标，在高频应用中尤为重要。Q值越高，损耗越小，性能越好。
- 反向击穿电压：器件能承受的最大反向电压。
- 串联电阻：影响Q值和器件在高频下的性能。
主要应用：
- 电子调谐：在收音机、电视机等设备中替代机械可变电容器，实现频道选择。
- 压控振荡器（VCO）：作为谐振回路中的可变电容元件，通过改变电压来精确控制振荡频率，是锁相环（PLL）、频率合成器的核心部件。
- 射频（RF）调谐与匹配：在天线调谐、滤波器调谐等电路中调整谐振频率或阻抗匹配。
- 频率调制（FM）：在调制电路中利用音频信号改变变容二极管的反偏压，从而改变振荡频率实现调制。
- 参量放大器：利用其非线性电容特性。

权威参考来源：

IEEE Xplore Digital Library：作为电气电子工程师学会的权威数据库，包含大量关于变容二极管物理原理、建模、设计和应用的学术论文和技术标准（例如：搜索 "Varactor diode theory", "Varactor applications"）。
半导体器件制造商技术文档：如Skyworks Solutions、Infineon Technologies、MACOM、NXP Semiconductors等公司会提供具体变容二极管产品的详细数据手册（Datasheet），包含精确的参数定义、特性曲线和应用笔记（可在其官网搜索具体型号如"MVAM109", "BBY52"等）。
专业电子工程教材：如《半导体器件物理》（S.M. Sze）、《射频微电子》（Razavi）等经典教材均有章节详细阐述PN结电容和变容二极管原理。

网络扩展解释

“可变电容二极体的简写”对应的英文缩写是VCD（全称为Variable Capacitance Diode），中文通常称为变容二极管。以下是详细解释：

1.基本定义

变容二极管是一种特殊设计的半导体二极管，其电容值会随外加反向偏置电压的变化而改变。这种特性使其广泛应用于调谐电路、压控振荡器、频率调制等场景。

2.工作原理

在反向偏置电压下，二极管内部的耗尽层宽度会随电压变化，导致电容值改变。
公式表示为： $$ Cj = frac{C{j0}}{(1 + frac{V_R}{V_0})^n} $$ 其中，( Cj )为实际电容，( C{j0} )为零偏压时的电容，( V_R )为反向电压，( V_0 )为接触电势差，( n )为结梯度系数（取决于材料）。

3.主要应用

调谐电路：如收音机、电视机的频道选择。
压控振荡器（VCO）：用于锁相环、频率合成器。
信号调制：如FM调制器中的频率调整。

4.其他常见名称

在英文文献中，变容二极管也被称为Varactor Diode或Tuning Diode。中文语境下，“可变电容二极体”是更直接的翻译，而“VCD”作为缩写较少用于国际标准术语，更多见于特定技术文档或早期资料中。

VCD（可变电容二极体）通过电压控制电容的特性，成为高频电子电路中不可或缺的元件。如需更专业的参数（如电容-电压曲线、Q值等），可参考半导体器件手册或厂商规格书。