金属氧化铝氧化硅半导体英文解释翻译、金属氧化铝氧化硅半导体的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 MAOS

分词翻译：

金属氧化铝氧化硅的英语翻译：

【计】 metal alumina-oxide-silicon

半导体的英语翻译：

semiconductor
【计】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【医】 semiconductor

专业解析

金属氧化铝氧化硅半导体（Metal-Alumina-Silicon-Oxide-Semiconductor，简称MASOS）是一种复合结构的半导体器件材料体系，其核心是通过多层薄膜堆叠实现特定电学性能。以下从汉英词典角度分层解释其构成与功能：

一、术语分层解析

金属（Metal）
作为栅电极材料，通常选用铝（Al）、铜（Cu）或多晶硅。功能：施加电场控制沟道载流子浓度。

英文对照：Gate electrode material (e.g., Al, Cu)
氧化铝（Alumina, Al₂O₃）
高介电常数（high-κ）绝缘层，替代传统二氧化硅以减小漏电流。特性：介电常数≈9，热稳定性高。

英文对照：High-κ dielectric layer
氧化硅（Silicon Oxide, SiO₂）
缓冲层或界面层，位于氧化铝与硅基底之间，减少界面缺陷。厚度通常＜1nm。

英文对照：Interfacial layer (IL)
半导体（Semiconductor）
单晶硅（Si）衬底，形成导电沟道。通过掺杂调控载流子类型（N/P型）。

英文对照：Silicon substrate

二、结构原理

典型MASOS电容器或晶体管结构如下：

金属栅（Metal Gate）
↓
氧化铝绝缘层（Al₂O₃）
↓
氧化硅界面层（SiO₂）
↓
硅衬底（Si Substrate）

该结构通过高-κ/金属栅（HKMG）技术，解决传统MOSFET中多晶硅耗尽和隧穿漏电问题，提升器件缩放能力。

三、核心应用

高性能逻辑器件：用于22nm以下制程的CMOS晶体管，降低功耗40%以上（参考IEEE国际电子器件会议报告。
存储器：作为电荷陷阱层应用于3D NAND闪存，提升数据保留特性。
射频器件：高-κ介质减少寄生电容，提升截止频率（fₜ）。

四、权威参考文献

《半导体器件物理与工艺》（施敏, 伍国珏著）
第12章详述高-κ介质/金属栅集成技术。

IEEE Electron Device Letters
刊载氧化铝/氧化硅叠层界面优化方案（DOI: 10.1109/LED.2020.3049054）。

应用物理评论（Applied Physics Reviews）
分析Al₂O₃/SiO₂/Si体系的能带对齐机制（Vol.7, 021402）。

五、技术优势

参数	传统SiO₂栅极	MASOS结构
等效氧化层厚度	≥1.2nm	≤0.8nm
栅极漏电流	10⁻³ A/cm²	10⁻⁷ A/cm²
热稳定性	800℃	1000℃

此结构通过材料协同优化，满足后摩尔时代器件微缩需求，相关技术已被台积电、英特尔等厂商商用化。

网络扩展解释

以下是关于四个术语的详细解释：

1. 金属

金属是一类具有良好导电性（通常在$10-10 , text{S/m}$）、导热性和延展性的元素或合金。它们通过自由电子导电，常见于导线、建筑材料等领域。由于搜索结果未直接涉及金属的定义，此处为常识性补充。

2. 氧化铝（Al₂O₃）

一种电绝缘体材料，具备以下特性：

物理性质：白色结晶粉末，熔点高达2072℃，沸点2977℃，硬度高且化学性质稳定。
电导性：不导电，常用于制造陶瓷、耐火材料及电子器件中的绝缘层。
应用：铝冶炼原料、高温炉衬、生物医学材料等。

3. 氧化硅（SiO₂）

主要性质及用途参考：

物理特性：无色固体，熔点约1650℃，硬度接近金刚石，常温下难溶于水。
化学特性：酸性氧化物，可与氢氟酸反应生成硅酸，结构以硅氧四面体为基础。
应用：广泛用于玻璃制造、半导体绝缘层（如二氧化硅薄膜）、光纤材料等。

4. 半导体

导电性介于导体和绝缘体之间的材料（$10^{-8}-10 , text{S/m}$），特性如下：

核心特性：导电性可调控，如通过掺杂或温度变化实现。
常见材料：硅（Si）、锗（Ge）、碳化硅（SiC）及化合物半导体（如GaAs）。
应用：二极管、晶体管、集成电路等电子元件，是计算机、通信设备的核心材料。

关联对比

氧化铝（绝缘体）与碳化硅（半导体）的电导率差异显著，后者常用于高温/高频器件。
氧化硅在半导体工艺中作为绝缘层或钝化层，保护芯片内部结构。