金屬氧化鋁氧化矽半導體英文解釋翻譯、金屬氧化鋁氧化矽半導體的近義詞、反義詞、例句

英語翻譯：

【計】 MAOS

分詞翻譯：

金屬氧化鋁氧化矽的英語翻譯：

【計】 metal alumina-oxide-silicon

半導體的英語翻譯：

semiconductor
【計】 quasi-conductor; SC
【化】 semiconductor
【醫】 semiconductor

專業解析

金屬氧化鋁氧化矽半導體（Metal-Alumina-Silicon-Oxide-Semiconductor，簡稱MASOS）是一種複合結構的半導體器件材料體系，其核心是通過多層薄膜堆疊實現特定電學性能。以下從漢英詞典角度分層解釋其構成與功能：

一、術語分層解析

金屬（Metal）
作為栅電極材料，通常選用鋁（Al）、銅（Cu）或多晶矽。功能：施加電場控制溝道載流子濃度。

英文對照：Gate electrode material (e.g., Al, Cu)
氧化鋁（Alumina, Al₂O₃）
高介電常數（high-κ）絕緣層，替代傳統二氧化矽以減小漏電流。特性：介電常數≈9，熱穩定性高。

英文對照：High-κ dielectric layer
氧化矽（Silicon Oxide, SiO₂）
緩沖層或界面層，位于氧化鋁與矽基底之間，減少界面缺陷。厚度通常＜1nm。

英文對照：Interfacial layer (IL)
半導體（Semiconductor）
單晶矽（Si）襯底，形成導電溝道。通過摻雜調控載流子類型（N/P型）。

英文對照：Silicon substrate

二、結構原理

典型MASOS電容器或晶體管結構如下：

金屬栅（Metal Gate）
↓
氧化鋁絕緣層（Al₂O₃）
↓
氧化矽界面層（SiO₂）
↓
矽襯底（Si Substrate）

該結構通過高-κ/金屬栅（HKMG）技術，解決傳統MOSFET中多晶矽耗盡和隧穿漏電問題，提升器件縮放能力。

三、核心應用

高性能邏輯器件：用于22nm以下制程的CMOS晶體管，降低功耗40%以上（參考IEEE國際電子器件會議報告。
存儲器：作為電荷陷阱層應用于3D NAND閃存，提升數據保留特性。
射頻器件：高-κ介質減少寄生電容，提升截止頻率（fₜ）。

四、權威參考文獻

《半導體器件物理與工藝》（施敏, 伍國珏著）
第12章詳述高-κ介質/金屬栅集成技術。

IEEE Electron Device Letters
刊載氧化鋁/氧化矽疊層界面優化方案（DOI: 10.1109/LED.2020.3049054）。

應用物理評論（Applied Physics Reviews）
分析Al₂O₃/SiO₂/Si體系的能帶對齊機制（Vol.7, 021402）。

五、技術優勢

參數	傳統SiO₂栅極	MASOS結構
等效氧化層厚度	≥1.2nm	≤0.8nm
栅極漏電流	10⁻³ A/cm²	10⁻⁷ A/cm²
熱穩定性	800℃	1000℃

此結構通過材料協同優化，滿足後摩爾時代器件微縮需求，相關技術已被台積電、英特爾等廠商商用化。

網絡擴展解釋

以下是關于四個術語的詳細解釋：

1. 金屬

金屬是一類具有良好導電性（通常在$10-10 , text{S/m}$）、導熱性和延展性的元素或合金。它們通過自由電子導電，常見于導線、建築材料等領域。由于搜索結果未直接涉及金屬的定義，此處為常識性補充。

2. 氧化鋁（Al₂O₃）

一種電絕緣體材料，具備以下特性：

物理性質：白色結晶粉末，熔點高達2072℃，沸點2977℃，硬度高且化學性質穩定。
電導性：不導電，常用于制造陶瓷、耐火材料及電子器件中的絕緣層。
應用：鋁冶煉原料、高溫爐襯、生物醫學材料等。

3. 氧化矽（SiO₂）

主要性質及用途參考：

物理特性：無色固體，熔點約1650℃，硬度接近金剛石，常溫下難溶于水。
化學特性：酸性氧化物，可與氫氟酸反應生成矽酸，結構以矽氧四面體為基礎。
應用：廣泛用于玻璃制造、半導體絕緣層（如二氧化矽薄膜）、光纖材料等。

4. 半導體

導電性介于導體和絕緣體之間的材料（$10^{-8}-10 , text{S/m}$），特性如下：

核心特性：導電性可調控，如通過摻雜或溫度變化實現。
常見材料：矽（Si）、鍺（Ge）、碳化矽（SiC）及化合物半導體（如GaAs）。
應用：二極管、晶體管、集成電路等電子元件，是計算機、通信設備的核心材料。

關聯對比

氧化鋁（絕緣體）與碳化矽（半導體）的電導率差異顯著，後者常用于高溫/高頻器件。
氧化矽在半導體工藝中作為絕緣層或鈍化層，保護芯片内部結構。