晶体管自动控制英文解释翻译、晶体管自动控制的近义词、反义词、例句

英语翻译：

【计】 transistorized automatic control

transistor
【计】 MOS transistor; npn
【化】 transistor

automata; automation; cybernation
【计】 autocontrol; automatic control
【化】 autocontrol; automatic control
【经】 automatic control

晶体管自动控制（Transistor Automatic Control）是指利用晶体管作为核心电子元件，构建能够自动监测、调节系统参数的闭环控制系统。以下从技术原理和应用角度进行解释：

晶体管（Transistor）
一种半导体器件，通过输入信号控制输出电流或电压，实现信号放大、开关控制等功能。在自动控制系统中，晶体管替代传统机械继电器，响应速度更快、寿命更长。

来源：IEEE标准术语库（IEEE Std 100）
自动控制（Automatic Control）
通过传感器实时采集系统状态（如温度、转速），经控制器（含晶体管电路）与设定值比对后，自动驱动执行器（如电机）修正偏差，无需人工干预。

来源：国际自动控制联合会（IFAC）技术报告

闭环反馈结构：
传感器 → 晶体管信号调理电路 → 控制器（含晶体管比较器） → 晶体管功率驱动 → 执行器 → 系统输出。

（典型结构参考《自动控制原理》，K. Ogata著）

晶体管的核心作用：
- 信号放大：小电流传感器信号经晶体管放大后驱动执行器（如NPN型晶体管放大基极电流）。
- 高速开关：MOSFET晶体管以微秒级速度通断，实现PWM调压（如电机调速）。
  来源：电子工程期刊（EE Times）技术白皮书

工业温控系统
热电偶检测温度 → 晶体管差分放大电路 → PID控制器 → 晶体管驱动加热器，精度达±0.5℃。

案例来源：德州仪器（TI）应用笔记 AN-1733

参考来源

晶体管自动控制是指利用晶体管作为核心元件，通过电信号调节电流或电压，实现对电路或设备的自动化操作。以下从结构、原理和应用三方面详细解释：

晶体管由三个半导体区域构成：发射极（Emitter）、基极（Base）和集电极（Collector）。其材料通常为硅或锗，通过掺杂工艺形成PN结，具备导电与绝缘的双重特性。

电流/电压控制
晶体管通过基极的微小电流或电压变化，控制集电极与发射极之间的较大电流。例如，基极电流的微小增加可引发集电极电流的显著放大（放大倍数可达数十至数百倍）。
公式表示为：
$$ I_C = beta I_B $$
其中，( I_C )为集电极电流，( I_B )为基极电流，( beta )为电流放大系数。
开关功能
当基极电压达到阈值时，晶体管在“导通”（ON，1）与“截止”（OFF，0）状态间切换，实现高速电路通断（实验室中可达100GHz）。这种特性使其成为数字电路和自动控制逻辑的基础单元。

晶体管自动控制的核心在于其电信号驱动和快速响应特性，替代传统机械开关，提升系统精度与效率。如需进一步了解具体电路设计，可参考电子工程类文献或专业教材。